[发明专利]一种太阳能级单晶硅的生长方法和设备

权利要求书

1.一种采用传统的提拉法生长太阳能级硅单晶的生长过程所用的发热体，其特征在于，所述发热体为金属，且所述的金属发热体的材质包括钨、钼或钽，或者为其中两种以上金属的合金。

2.根据权利要求1所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，所述金属发热体包括由矩形板条和连接板条组成的圆筒以及电极，其中部分电极安装在与水冷电极相连的电极板上，另外的电极起支撑所述圆筒。

3.根据权利要求2所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，所述金属发热体的矩形板条为波状，其宽度为80～100mm，厚度为5～15mm。

4.根据权利要求3所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，所述金属发热体的矩形板条宽度为80～90mm，厚度为5～10mm。

5.根据权利要求2或3所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，所述金属发热体的矩形板条之间的间距为5～15mm。

6.根据权利要求5所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，所述金属发热体的矩形板条之间的间距为5～10mm。

7.根据权利要求2所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，圆筒与坩埚之间的间隙一般为10～20mm。

8.一种太阳能级硅单晶的生长所用的设备，其特征在于，包括如权利要求1至7项任一项所述的金属发热体。

9.一种太阳能级硅单晶的生长方法，采用传统的提拉法生长太阳能级硅单晶的生长，其特征在于，在硅单晶生长过程中采用如权利要求1至7项任一项所述的金属发热体进行加热。

10.根据权利要求9所述的太阳能级硅单晶生长方法，其特征在于，在所述采用金属发热体加热的同时，炉膛内为真空状态、或充入惰性保护气体、或充入H₂还原性气体。