[发明专利]有机发光二极管显示器无效
申请号: | 201010253566.7 | 申请日: | 2010-08-12 |
公开(公告)号: | CN102044555A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 丁憙星;朴顺龙 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;张军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
描述的技术总体涉及一种有机发光二极管显示器,更具体地说,涉及一种具有差异覆盖层的有机发光二极管。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器是使用有机发光二极管来显示图像的自发射显示装置。有机发光二极管显示器与液晶显示器(LCD)的不同之处在于,有机发光二极管显示器不需要单独的光源,并具有相对小的厚度和重量。此外,因为有机发光二极管显示器包括高品质特性,例如低功耗、高亮度和短响应时间,所以有机发光二极管显示器作为用于便携式电子器件的下一代显示装置而受到关注。
有机发光二极管通常包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的有机发射层。利用有机发光二极管,来自阳极的空穴和来自阴极的电子在有机发射层内复合,从而形成作为电子-空穴对的激子,当激子返回至基态时,产生能量,由此发光。
有机发光二极管的阳极和阴极分别形成有反射电极和半透明电极中的一者。有机发光二极管具有这样的光学特性,从而对于发射的光的相应波长,在特定的厚度处发生最大相长干涉。
然而,所有有机发光二极管对于各个色彩像素具有相同的厚度,而反射电极和半透明电极在光学相长干涉方面彼此存在差异。因此,不能指望对于全部色彩实现期望的色再现性和光学效率。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅仅为了加深对所描述的技术的背景的理解,因此,它会包含不构成在本国对于本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。
发明内容
已经做出所描述的技术以提供具有提高光学效率和色彩再现性的优点的有机发光二极管显示器。
示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:基底主体;多个有机发光二极管,形成在所述基底主体上;差异覆盖层,覆盖所述多个有机发光二极管,所述差异覆盖层具有不同的厚度。所述差异覆盖层包括厚度为90nm至120nm的第一区域和厚度比所述第一区域的厚度小的第二区域。
根据本发明的另一实施例,从所述多个有机发光二极管发射的光可以具有两种或更多种色彩。
根据本发明的另一实施例,所述差异覆盖层可以形成在所述多个有机发光二极管上,使得所述差异覆盖层对于从有机发光二极管发射的光的各个色彩在厚度方面存在差异。
根据本发明的另一实施例,从有机发光二极管发射的光的波长越大,形成在该有机发光二极管上的差异覆盖层的厚度越大。
根据本发明的另一实施例,所述多个有机发光二极管可以包括发射基于红色的光的第一有机发光二极管、发射基于绿色的光的第二有机发光二极管和发射基于蓝色的光的第三有机发光二极管。
根据本发明的另一实施例,所述差异覆盖层可以包括形成在所述第一有机发光二极管上的第一覆盖层、形成在所述第二有机发光二极管上的第二覆盖层和形成在所述第三有机发光二极管上的第三覆盖层。
根据本发明的另一实施例,所述差异覆盖层的第一区域对应于所述第一覆盖层,而所述差异覆盖层的第二区域对应于所述第二覆盖层和所述第三覆盖层。
根据本发明的另一实施例,所述第二覆盖层和所述第三覆盖层可以具有60nm至100nm的相同厚度。
根据本发明的另一实施例,所述第三覆盖层可以比所述第二覆盖层薄。
根据本发明的另一实施例,所述第二覆盖层的厚度可以为70nm至100nm,而所述第三覆盖层的厚度可以为60nm至90nm。
根据本发明的另一实施例,所述差异覆盖层的第一区域可以对应于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层,而所述差异覆盖层的第二区域对应于所述第三覆盖层。
根据本发明的另一实施例,所述第一覆盖层和所述第二覆盖层可以具有相同的厚度,而所述第三覆盖层的厚度为60nm至90nm。
根据本发明的另一实施例,第一至第三覆盖层均可以由相同的材料形成。
根据本发明的另一实施例,第一至第三覆盖层中的至少一个可以由与其它覆盖层的材料不同的材料形成。
根据本发明的另一实施例,所述差异覆盖层可以使用从SiO2、SiNX、SiON、ZnO2、TiO2、ZrO2、Alq3、CuPc、CBP、a-NPB、ITO、IZO和ZiO2中选择的至少一种有机或无机材料形成。
根据本发明的另一实施例,所述有机发光二极管可以包括第一电极、形成在所述第一电极上的有机发射层和形成在所述有机发射层上的第二电极,而所述差异覆盖层形成在所述第二电极上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的