[发明专利]制造半导体组件和结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体组件的方法，包括以下步骤：

提供具有主表面的材料；

在所述主表面之上形成第一导电结构；

在所述第一导电结构之上形成光致抗蚀剂层；

使所述光致抗蚀剂层的第一部分暴露给辐射，所述第一部分具有第一尺寸；以及

使所述光致抗蚀剂层的第二部分暴露给辐射，所述第二部分具有大于所述第一尺寸的第二尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂是正光致抗蚀剂。

3.如权利要求1所述的方法，其中使所述光致抗蚀剂层的所述第二部分暴露的步骤包括：在硬烘烤所述光致抗蚀剂层之前使所述第二部分暴露给辐射。

4.如权利要求1所述的方法，还包括在使所述光致抗蚀剂层的第二部分暴露给辐射之前，移除所述光致抗蚀剂层的所述第一部分以显露所述第一导电结构的第一部分。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

在所述第一导电的所述第一部分之上形成第二导电结构，所述第二导电结构具有第一边缘和第二边缘；

在使所述光致抗蚀剂层的所述第二部分暴露给辐射之后，至少显露所述第二导电结构的所述第一边缘和所述第二边缘；以及

在所述第二导电结构的所述第一边缘和第二边缘上形成保护结构，其中所述保护结构是导电材料或非导电材料中的一个。

6.一种用于制造半导体组件的方法，包括以下步骤：

提供具有主表面的基底；

在所述主表面上形成第一导电材料，所述第一导电材料具有第一边缘和第二边缘；

在第一导电材料层之上形成第一光致抗蚀剂层；

移除所述第一光致抗蚀剂层的第一部分，留下来自所述第一光致抗蚀剂层的剩余部分的第一侧壁和第二侧壁以及所述第一侧壁和第二侧壁之间的间隙；

在所述第一光致抗蚀剂层的所述第一侧壁和第二侧壁之间的所述间隙中形成第二导电材料，所述第二导电材料具有第一边缘和第二边缘；

在所述第一光致抗蚀剂层之上和在所述第二导电材料之上形成第二光致抗蚀剂层；

移除所述第二光致抗蚀剂层的一部分和所述第一光致抗蚀剂层的第二部分，以显露所述第二导电材料的所述第一边缘和第二边缘；以及

在所述第二导电材料的所述第一边缘和第二边缘之上形成保护结构。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述保护结构是导电材料。

8.如权利要求6所述的方法，其中移除所述第一光致抗蚀剂层的所述第一部分和第二部分以及所述第二光致抗蚀剂层的所述一部分的步骤包括：使所述第一光致抗蚀剂层的所述第一部分和第二部分以及所述第二光致抗蚀剂层的所述一部分暴露给紫外辐射，以及使所述第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的被暴露部分显影。

9.如权利要求8所述的方法，还包括在基底和第一层导电材料之间形成第三导电材料层，其中所述保护结构包括非导电材料。

10.一种半导体组件，包括：

具有主表面的半导体材料；

在所述主表面的一部分之上的导电结构；

具有与所述导电结构接触的相对的边缘和顶表面的电互连物；以及

在所述电互连物的所述顶表面和所述相对的边缘上并在所述导电结构的一部分之上的保护结构，其中所述保护结构形成保护所述电互连物的密封。