[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一基板，其具有一第一区域和一第二区域；

于该第一区域中形成一第一类型晶体管；

于该第二区域中形成一第二类型晶体管，其不同于该第一类型晶体管；

于该第一类型晶体管上方形成一第一保护层，以暴露出该第二类型晶体管；

于该第二类型晶体管上形成一第一硅化物；

于该第二类型晶体管上方形成一第二保护层，以暴露出该第一类型晶体管；以及

于该第一类型晶体管上形成一第二硅化物，该第二硅化物具有不同于该第一硅化物的至少一特性。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中至少一该特性为厚度，且该第二硅化物的厚度大于该第一硅化物的厚度。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第二硅化物包括钴，且该第一硅化物包括钛或镍。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第一保护层还包括：

于该第一类型晶体管和该第二类型晶体管上方形成一第一保护毯覆层；以及

图案化该第一保护毯覆层，以暴露出该第二类型晶体管，且形成该第一保护层。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第一硅化物还包括：

于图案化该第一保护毯覆层之后清洁该第二类型晶体管，以使该第一类型晶体管仍被该第一保护层保护。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第二保护层还包括：

于该第二类型晶体管和该第一类型晶体管上方形成一第二保护毯覆层；

图案化该第二保护毯覆层，以暴露出该第一类型晶体管，且形成该第二保护层；以及

移除该第一保护层，以暴露出该第一类型晶体管。

7.一种半导体装置，包括：

一半导体基板，其具有一第一晶体管和一第二晶体管，该第二晶体管为不同于该第一晶体管的一种类型晶体管；

一第一硅化物区域，位于该第一晶体管上，该第一硅化物区域包括第一材料，且该第一硅化物区域具有一第一厚度；以及

一第二硅化物区域，位于该第二晶体管上，该第二硅化物区域包括不同于该第一材料的一第二材料，且该第二硅化物区域具有不同于该第一厚度的一第二厚度。

8.如权利要求7所述的半导体装置其中该第一硅化物包括钴，且该第二硅化物包括钛或镍。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第二厚度大于该第一厚度。

10.如权利要求7所述的半导体装置，还包括一保护层，位于该第二晶体管的上方，且不延伸至该第一晶体管的上方。