[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁具有侧壁台阶；

结，所述结形成在所述侧壁台阶的表面之下；和

掩埋位线，所述掩埋位线被配置为与所述结相接触，

其中所述结扩展到所述侧壁的下部，所述侧壁的下部位于所述侧壁台阶的 表面之上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，相邻的有源区由沟槽隔离开， 并且所述掩埋位线填充所述沟槽的一部分。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区由第一沟槽和第二 沟槽隔离开，所述第一沟槽的一个侧壁和所述第二沟槽的一个侧壁被对准为具 有垂直轮廓，并且所述第一沟槽的另一个侧壁和所述第二沟槽的另一个侧壁提 供所述侧壁台阶。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掩埋位线具有覆盖所述侧 壁台阶的形状。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结包括被注入了杂质离子 的源或漏。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掩埋位线包括与所述结相 接触的金属层。

7.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

通过刻蚀衬底来形成沟槽，所述沟槽在一个侧壁上具有侧壁台阶；

在所述侧壁台阶的表面之下形成结；

执行退火工艺使得所述结扩展到所述侧壁的下部，所述侧壁的下部位于所 述侧壁台阶的表面之上；和

形成掩埋位线，所述掩埋位线与所述结相接触。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成结的步骤是通过离子注入工 艺来执行的。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成沟槽的步骤包括以下步骤：

通过对所述衬底执行第一次沟槽刻蚀工艺来形成第一沟槽；和

通过第二次沟槽刻蚀工艺将所述衬底刻蚀得比所述第一沟槽深来形成第二 沟槽，所述第二沟槽在与所述第一沟槽相连接的部分提供所述侧壁台阶。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一次沟槽刻蚀工艺和所述第 二次沟槽刻蚀工艺是各向异性刻蚀工艺。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述第二次沟槽刻蚀工艺是通过使 所述衬底倾斜来执行的。

12.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一沟槽的一个侧壁和所述第 二沟槽的一个侧壁被对准为具有垂直轮廓，而所述第一沟槽的另一个侧壁和所 述第二沟槽的另一个侧壁提供所述侧壁台阶。

13.如权利要求9所述的方法，其中，所述形成第二沟槽的步骤包括以下 步骤：

形成覆盖所述第一沟槽的两个侧壁的间隔件；

使所述衬底倾斜；和

对倾斜的所述衬底进行刻蚀。

14.如权利要求13所述的方法，其中，使所述衬底倾斜的步骤是通过使刻 蚀设备的放置所述衬底的载台倾斜来执行的。

15.如权利要求13所述的方法，其中，使所述衬底倾斜的步骤是以将所述 间隔件中的一个间隔件遮蔽的倾斜角来执行的。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述倾斜角为在从与所述第二次沟 槽刻蚀工艺的刻蚀方向垂直的水平面起4度至10度的范围内。

17.如权利要求13所述的方法，其中，所述间隔件包括氧化物层或氮化物 层。

18.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成掩埋位线的步骤包括以下 步骤：

在包括所述结的衬底结构之上形成封阻层；

形成第一导电层，所述第一导电层填充所述沟槽的一部分；

通过刻蚀所述封阻层来使所述侧壁台阶的一部分暴露；和

形成第二导电层，所述第二导电层在暴露的侧壁台阶处与所述结相接触。