[发明专利]具有嵌入式高密度电容的硅基座

权利要求书

1.一种电容性基座，用于玻璃光纤接收器中的光二极管的非接地绝缘，该基座包含：

一重掺杂硅基板；

沟槽数组，形成在该硅基板的上表面；

一介电层，形成在该沟槽数组的表面上；

一上电极，沉积覆盖在该介电层上；及

一下电极，沉积在该硅基板的下表面上。

2.根据权利要求1所述的电容性基座，其中该沟槽数组具有不同方向的子群数组的布局，其中该子群数组各自包含一个以上相互平行的沟槽。

3.根据权利要求2所述的电容性基座，其中相邻的该子群数组之间以相互垂直的方式加以排列。

4.根据权利要求1或2所述的电容性基座，其中该重掺杂硅基板为N++型重掺杂单晶硅或多晶硅基板。

5.根据权利要求1或2所述的电容性基座，其中该硅基板为P型重掺杂单晶硅或多晶硅基板。

6.根据权利要求4所述的电容性基座，其中该N++型重掺杂硅基板是以1018/cm3以上的浓度进行重掺杂。

7.根据权利要求1或2所述的电容性基座，其中该沟槽的宽度小于3微米；而该沟槽的深度小于该宽度的10倍。

8.根据权利要求1或2所述的电容性基座，其中该介电层为具有50埃到数千埃厚度的一原生氧化层。

9.根据权利要求1或2所述的电容性基座，其中该介电层为氮化硅或氧氮化硅。

10.根据权利要求1或2所述的电容性基座，更包含：

多晶硅再填物，置入该沟槽内。

11.根据权利要求1或2所述的电容性基座，更包含：金属插栓，置入该沟槽内。

12.根据权利要求1或2所述的电容性基座，其中该金属插栓为钨插栓。