[发明专利]四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法无效
| 申请号： | 201010255784.4 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101950774A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;陆书龙;董建荣;任雪勇;熊康林;何巍;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gainp gaas ingaasp ingaas 太阳电池 制作方法 | ||
1.四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，其特征在于：将基于GaAs衬底生长的晶格匹配的GaInP/GaAs双结太阳电池和基于InP衬底生长的晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池以键合方式集成为四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs阳电池。
2.根据权利要求1所述的四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤1：利用金属有机物化学气相沉积法在GaAs衬底上生长晶格匹配的GaInP/GaAs双结太阳电池外延片，获得带隙能量为1.9/1.4eV的电池组合；
步骤2：利用金属有机物化学气相沉积法在InP衬底上生长晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池外延片，获得带隙能量为1.05/0.72eV的电池组合；
步骤3：将步骤1生长的GaInP/GaAs双结太阳电池衬底减薄，并与InP衬底上生长的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池顶面键合，其键合界面为：GaAs/InP。
3.根据权利要求1所述的四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤1之后在GaAs衬底上的GaInP电池的顶端生长GaAs遂穿结，且步骤2之后在InP衬底上的InGaAsP电池的顶端生长InP遂穿结。
4.根据权利要求1所述的四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，其特征在于：步骤3之后，还包括一系列输出功率、尺寸外形及适于安装的封装工艺步骤，以完成四结太阳电池的制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
