[发明专利]非晶态氧化物半导体材料、场效应晶体管和显示装置

权利要求书

1.一种非晶态氧化物半导体材料，所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。

2.根据权利要求1所述的非晶态氧化物半导体材料，其中所述非晶态氧化物半导体材料的光学带隙等于或大于3.79eV。

3.一种非晶态氧化物半导体材料，所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且c＜4b-3.2，并且c＜-5b+8，并且1≤c，并且所述非晶态氧化物半导体材料的光学带隙等于或大于3.79eV。

4.一种场效应晶体管，所述场效应晶体管具有活性层，所述活性层包含根据权利要求1所述的非晶态氧化物半导体材料，并且所述活性层的电导率σ为10^-9S/cm≤σ≤10^-2S/cm。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中所述非晶态氧化物半导体材料经过热处理。

6.一种显示装置，所述显示装置配备有根据权利要求4所述的场效应晶体管。

7.一种底部发光型显示装置，所述底部发光型显示装置包括：

基板；

根据权利要求4所述的场效应晶体管，所述场效应晶体管被安置在所述基板上并且具有底栅结构；和

有机电致发光元件，所述有机电致发光元件与所述基板上的所述场效应晶体管电连接，

其中由所述有机电致发光元件发射的光是从所述基板侧产生的。