[发明专利]聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法无效
申请号: | 201010255860.1 | 申请日: | 2010-08-18 |
公开(公告)号: | CN101955665A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 肖鹏;贾袆超;张云怀;何辉超 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | C08L79/04 | 分类号: | C08L79/04;C08K7/00;C08K3/22;C08G73/06;C25B3/00 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 谢殿武 |
地址: | 400044 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吡咯 颗粒 氧化 纳米 列阵 复合材料 制备 方法 | ||
1.聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)合成二氧化钛纳米管列阵,并经焙烧得到锐钛矿型二氧化钛纳米管列阵;
2)在由十二烷基苯磺酸钠和吡咯单体组成的水溶液中,将焙烧后的二氧化钛纳米管列阵作为工作电极,铂电极作为辅助电极,控制电压在0.8~1.0V的条件下电化学聚合15~120min,得到聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料成品,其中,十二烷基苯磺酸钠在水溶液中的浓度为0.05~0.15mol/L,吡咯单体在水溶液中的浓度为0.05~0.1mol/L。
2.根据权利要求1所述的聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法,其特征在于:在步骤1中,所述二氧化钛纳米管列阵的合成包括以下步骤:
(a)将钛箔片依次放入质量百分比浓度为15~30%的盐酸、无水乙醇、蒸馏水中,分别进行超声清洗,去除其表面氧化物;
(b)将清洗晾干后的钛箔片作为阳极,铂片作为阴极置于0.16~0.20M的HF溶液中,在20~25V的电压下常温反应1~2h,然后取出用蒸馏水清洗干净,通过该步骤形成非晶态二氧化钛纳米管列阵。
3.根据权利要求1或2所述的聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法,其特征在于:在步骤1)中,所述焙烧是指将通过合成步骤(b)得到的非晶态二氧化钛纳米管列阵在氮气或空气氛围中焙烧1~2h,焙烧温度为400~600℃,得到锐钛矿型二氧化钛纳米管列阵。
4.根据权利要求3所述的聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法,其特征在于:在焙烧过程中,焙烧温度为400~450℃。
5.根据权利要求2所述的聚吡咯颗粒和二氧化钛纳米管列阵的复合材料制备方法,其特征在于:在步骤(a)中,钛箔片的纯度大于等于99.6%。
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