[发明专利]形成电子器件的方法

权利要求书

1.一种形成电子器件的方法，所述方法包括：

(a)提供包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；

(b)在要被图形化的一层或更多层上施加第一光敏组合物层，其中该第一光敏组合物包括第一树脂成分和光激活成分；

(c)通过图形化的光掩模将该第一层暴露于激发辐射；

(d)显影该曝光的第一层以形成光刻胶图形；

(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；

(f)采用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该被硬烘烤的光刻胶图形；

(g)施加热敏组合物第二层，所述热敏组合物第二层与该光刻胶图形的碱性表面接触，该第二组合物包括第二树脂成分和热酸产生剂；

(h)加热该热敏组合物第二层至可有效地使热酸产生剂产生酸的温度；以及

(i)显影该被加热的第二层。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括在加热和显影该第二层步骤之后去除该光刻胶图形。

3.根据权利要求6的方法，其中在大约150℃或更高的温度执行光刻胶图形的热处理。

4.根据权利要求1的方法，其中采用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形包括采用碱性材料和不同于该碱性材料的表面活性剂处理该光刻胶图形。

5.根据权利要求1的方法，其中采用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形包括采用伯胺或仲胺处理该光刻胶图形。

6.根据权利要求6的方法，其中采用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形包括先用氢氧化季铵材料然后用伯胺或仲胺顺序处理该光刻胶图形。

7.根据权利要求5的方法，其中该胺是如下通式(Ⅰ)的化合物：

其中R是选自任意取代的C1至C6的烷基。

8.根据权利要求7的方法，其中R是C2的烷基。

9.根据权利要求1的方法，其中该胺是选自如下的通式(Ⅲ)、(Ⅳ)和(Ⅴ)的化合物：

其中R₁和R₂各自独立地为氢原子或C1-C10烷基团；且n是从1至10的整数。

10.一种被涂覆的半导体衬底，包括：

具有要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；

在该要被图形化的一层或更多层上的光刻胶图形，该光刻胶图形具有碱性表面；以及

与该光刻胶图形的碱性表面接触的热敏组合物层，第二组合物包括第二树脂化合物和热酸产生剂。