[发明专利]采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件测试方法，具体涉及一种无源器件测试去嵌方法。

背景技术

目前，在集成电路中包含了大量的无源器件，片上电感就是其中十分重要的一种，片上电感是射频CMOS/BiCMOS集成电路的重要元件之一。在通常的无线产品中，电感元件对总的射频性能有很重要的影响。因此对这些电感元件的设计和分析也得到了广泛的研究。电感作为射频电路的核心部件，它通常可以影响到整个电路的整体性能。目前，经常使用的是差分电感，其广泛应用在压控振荡器，低噪声放大器等射频电路模块中。差分电感具有高品质因数Q值，高谐振频率以及最小的芯片面积的优点。

上面所述的电感器件的电感品质因数Q值是衡量电感器件的主要参数。其是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。

其计算公式为：

Q表示品质因数，w表示频率，L表示某一频率下的电感值，Rs表示某一频率下的电阻值。

目前，射频无源器件的测试数据去嵌方法一般采用开路(OPEN)或者开路通路相结合的方法(OPEN+THROUGH)，这两者去嵌方法都不能完全去除测试结构的寄生参数，引入较大误差，影响器件的建模及射频电路的设计。

无源器件测试图形如附图1所示，其等效电路的拓扑结构如图3所示。在射频探针到被测器件间存在不同层金属组成的引线引入的寄生参数如图2所示。传统的开路通路相结合，去嵌后等效电路图如图4所示。可以看到传统的去嵌方法去嵌后依然存在引线的寄生参数。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种，它可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。

为了解决以上技术问题，本发明提供了一种采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法；包括以下步骤：步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中：开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。

本发明的有益效果在于：可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是射频无源器件测试图形的示意图；

图2是射频无源器件测试图形的示意图；

图3是射频无源器件测试图形对应的子电路模型示意图；

图4是传统去嵌方法(open+through)去嵌后对应的子电路模型示意图；

图5是本发明实施例所述开路结构一(open1)的示意图；

图6是本发明实施例所述开路结构二(open2)的示意图；

图7是本发明实施例所述通路结构一(through1)的示意图；

图8是本发明实施例所述通路结构二(through2)的示意图；

图9是本发明实施例所述去嵌结构去嵌后子电路模型示意图。

图10是本发明实施例所述方法的流程图。

具体实施方式

如图5-图8所示，本专利提出的针对由不同层金属连出的射频无源器件去嵌结构包括：开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二；采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。

以用顶层金属和第一层金属连接而成的引线结构为例：开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD，开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分，通路结构一是用顶层金属连通，通路结构二是用第一层金属连通。采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。