[发明专利]损耗均衡处理方法和系统以及固态硬盘

说明书

技术领域

本发明实施例涉及存储技术领域，尤其涉及一种损耗均衡处理方法和系统以及固态硬盘。

背景技术

固态硬盘(Solid State Disk，以下简称：SSD)由于具有突出的IO能力而被广泛采用。SSD为达到高性能要求，一般采用多并发架构，即将数据通路根据采用的Flash颗粒同时下发数据。由于Flash颗粒的可擦写次数有限，而且有些Flash颗粒上的热点数据擦写较为频繁，有些Flash颗粒上的非热点数据长期不进行擦写，因此导致Flash颗粒的损耗不均衡，影响了SSD的使用寿命。

为了均衡Flash颗粒的损耗，现有技术中所采用的静态均衡，是将长期不修改的数据，如操作系统，做强制搬移，从而均衡Flash颗粒的损耗。在将该静态均衡应用在并发架构下时，Flash颗粒上的数据能够进行强制搬移，从而在各通路内部实现损耗均衡。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的静态均衡无法实现全盘均衡，从而无法彻底解决Flash颗粒上的损耗均衡问题。

发明内容

本发明实施例提供一种损耗均衡处理方法和系统以及固态硬盘，以实现全盘均衡。

本发明实施例提供一种损耗均衡处理方法，包括：

当满足损耗均衡触发条件时，将第一并发通路对应的逻辑块号LBN上的数据搬移到与第二并发通路对应的LBN上，并将所述第二并发通路对应的LBN上的数据搬移到第三并发通路对应的LBN上，以此类推，直到将最后一个并发通路对应的LBN上的数据搬移到所述第一并发通路对应的LBN上。

本发明实施例提供一种固态硬盘，包括：存储控制器和存储单元，

所述存储控制器包括：

判断单元，用于判断是否满足损耗均衡触发条件；

执行单元，用于当满足损耗均衡触发条件时，将第一并发通路对应的逻辑块号LBN上的数据搬移到与第二并发通路对应的LBN上，并将所述第二并发通路对应的LBN上的数据搬移到第三并发通路对应的LBN上，以此类推，直到将最后一个并发通路对应的LBN上的数据搬移到所述第一并发通路对应的LBN上，其中，所述LBN上的数据存储于存储单元中；

所述存储单元，用于存储数据。

本发明实施例提供一种损耗均衡处理系统，包括上述固态硬盘。

本发明实施例可以按照并发通路的并发特性移动，实现全盘均衡，并且在进行全盘均衡时，各个通道之间不会造成数据的聚合，从而不会影响并发性，而且，通过调整1个LBN包括的LBA的数量，使得每次移动的数据量是可控的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明损耗均衡处理方法一个实施例的流程图；

图2为本发明损耗均衡处理方法另一个实施例的流程图；

图3为16路并发通道的结构示意图；

图4为本发明固态硬盘一个实施例的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明损耗均衡处理方法一个实施例的流程图，如图1所示，本实施例的方法可以包括：

步骤101、当满足损耗均衡触发条件时，将第一并发通路对应的逻辑块号LBN上的数据搬移到与第二并发通路对应的LBN上。

其中，并发通路对应的逻辑块号LBN上的数据包括：逻辑块号LBN所指向的、存储于存储单元位置上的数据。

步骤102、将所述第二并发通路对应的LBN上的数据搬移到第三并发通路对应的LBN上，以此类推，直到将最后一个并发通路对应的LBN上的数据搬移到所述第一并发通路对应的LBN上。