[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括基板、缓冲层、半导体层及半导体发光结构，缓冲层位于基板之上，半导体层位于缓冲层之上，半导体发光结构位于半导体层上，其特征在于：所述半导体层内掩埋若干空隙。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述若干空隙呈弥散状分布于所述半导体层内。

3.如权利要求1至2中任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述若干空隙中至少一部分在基板上的投影重叠。

4.如权利要求1至2中任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述若干空隙中的一部分空隙比其他空隙靠近于所述半导体发光结构，所述一部分空隙与所述其他空隙错落分布。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光结构射向基板的部分光线被所述一部分空隙反射，所述其他空隙反射射过相邻的所述一部分空隙之间的光线。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体层没有掺杂杂质。

7.一种发光二极管制造方法，其包括以下步骤：

提供基板；

于基板上形成阵列分布的若干柱体；

高温下重新生长所述阵列分布的若干柱体以形成内部掩埋若干空隙的半导体层；

于所述半导体层上形成一半导体发光结构。

8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：于基板上形成阵列分布的若干柱体包括以下步骤：

于基板上形成一缓冲层；

于缓冲层上形成另一半导体层；

于所述另一半导体层上形成金属层；

将该金属层高温热处理以形成金属掩膜；

蚀刻所述另一半导体层以形成阵列分布的若干柱体；

去除金属掩膜。

9.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：高温下重新生长后的所述半导体层的外侧闭合使得所述半导体层内部与外界隔离。

10.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其特征在于：高温下重新生长后的所述半导体层的顶端闭合形成一界面。

11.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述若干空隙弥散分布于高温下重新生长后的所述半导体层内。

12.如权利要求11中所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述若干空隙中至少一部分在基板上的投影重叠。

13.如权利要求11中所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述若干空隙中的一部分空隙比其他空隙靠近于所述半导体发光结构，所述一部分空隙与所述其他空隙错落分布。

14.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：高温下重新生长所述阵列分布的若干柱体的温度大于1000摄氏度。

15.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：于缓冲层上形成所述另一半导体层的温度为450摄氏度-1000摄氏度。

16.如权利要求15所述的发光二极管制造方法，其特征在于：于缓冲层上形成所述另一半导体层的温度为700摄氏度-800摄氏度。

17.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述半导体层的厚度为150nm-250nm。

18.如权利要求8所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述金属掩膜包括若干阵列排布的金属颗粒，相邻金属颗粒间隔形成孔洞。

19.如权利要求18所述的发光二极管制造方法，其特征在于：所述金属颗粒的直径介于50nm-100nm之间，所述孔洞的直径介于50nm-100nm之间。

20.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：采用分子束磊晶的方法直接于基板上形成阵列分布的若干柱体。

21.一种发光二极管，包括基板、缓冲层、半导体层及半导体发光结构，缓冲层位于基板之上，半导体层位于缓冲层之上，半导体发光结构位于半导体层上，其特征在于：所述半导体层内掩埋若干空隙，所述空隙由权利要求7-20中任意一项所述的方法制成。