[发明专利]一类含芴有机半导体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.下述通式(P)的一类含芴有机半导体材料：

式中，n为1～100之间的整数；m为1～20的整数；

x、y为正实数值，且x+y＝1；

R₁、R₂分别为氢、氟、氰基、C₁～C₄₀的烷基、烷氧基、芳基、或杂芳基；R₃为氢、苯基、C₁～C₂₀的烷基、或C₁～C₄₀芳基烷氧基。

2.根据权利要求1所述的一类含芴有机半导体材料，其特征在于，所述m的取值范围为：6～12的整数；所述R₁、R₂分别为C₁～C₁₈的烷基；所述R₃为C₁～C₁₂的烷基，或C₆～C₄₀芳基烷氧基。

3.一类含芴有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在无氧环境中，将结构式为的2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷)基-9，9-二烷基芴、结构式为的9，10-二溴蒽或其衍生物和结构式为的噻吩并[3，4-c]吡咯-4，6-二酮或其衍生物，按摩尔比m∶j∶k混合，且满足m＝j+k，于70～100℃、催化剂、碱液和第一溶剂条件下，进行Suzuki反应24～72小时，得到结构式为的所述一类含芴有机半导体材料；其中，

n为1～200的整数，m为1～20的整数；

x、y为正实数，且x+y＝1；

R₁、R₂为氢、氟、氰基、C₁～C₄₀的烷基、烷氧基、芳基、或杂芳基；R₃为氢、苯基、C₁～C₂₀的烷基、或C₁～C₄₀芳基烷氧基。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述m的取值范围为6～12的整数；所述R₁、R₂分别为C₁～C₁₈的烷基；所述R₃为C₁～C₁₂的烷基，或C₆～C₄₀芳基烷氧基。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包括所述2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷)基-9，9-二烷基芴的制备过程，制备步骤如下：

在无水无氧条件中，将结构式为的2，7-二溴-9，9-二烷基芴和正丁基锂在-70℃～-85℃下，以摩尔比1∶2～4加入至第二溶剂中，然后加入结构式为的双频哪醇合二硼或者结构式为的2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷，进行缩合反应12～48小时，得到结构式为的所述2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷)基-9，9-二烷基芴。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二溶剂为四氢呋喃、乙醚、二氯甲烷、三氯甲烷或乙酸乙酯中的至少一种；所述2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷或双频哪醇合二硼的摩尔量为2，7-二溴-9，9-二烷基芴的2～4倍。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂的摩尔用量为2，7-二(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二杂氧戊硼烷)基-9，9-二烷基芴的0.01％～20％；

所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物；

所述有机钯为Pd(PPh₃)₄、Pd(OAc)₂、Pd₂(dba)₃或Pd(PPh₃)₂Cl₂；

所述有机磷配体为三环己基膦或P(o-Tol)₃。