[发明专利]一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法

权利要求书

1.一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体，其特征在于为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，其分子式为Zn_1-xTM_xO，其中TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10。

2.如权利要求1所述的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体，其特征在于所述过渡金属为Mn、Co、Cu或Ni。

3.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将锌盐溶解在离子液体中，浓度为0.5～4wt％，加热至溶液透明；

2)往步骤1)制得的溶液中加入过渡金属盐至全部溶解，得混合溶液；

3)将步骤2)制得的混合溶液加热回流，自然冷却至室温，将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，得到的粉末干燥，即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。

4.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述锌盐为Zn(CH₃COO)₂·2H₂O，Zn(NO₃)₂·4H₂O或ZnCl₂。

5.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述离子液体为N(C₄H₉)₄OH·30H₂O，N(C₃H₇)₄OH·30H₂O或N(C₂H₅)₄OH·30H₂O。

6.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述加热的温度为20～40℃。

7.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述过渡金属盐与锌盐的摩尔比为1∶99～9。

8.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述过渡金属盐为Mn、Co、Cu或Ni的金属盐，过渡金属盐的阴离子与锌盐的阴离子一致。

9.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述加热的温度为80～110℃，回流的时间为20～30h。

10.如权利要求1所述一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，是将所得到沉淀用水洗涤2～4次，然后用乙醇洗涤2～4次；所述干燥的温度为50～80℃，干燥的时间为5～8h。