[发明专利]基于IGBT桥式开关拓扑的驱动电路及其保护模块

权利要求书

1.一种基于IGBT桥式开关拓扑的驱动电路的保护模块，该驱动电路用于根据MCU输出的门极驱动信号驱动I GBT管，其特征在于，所述保护模块包括：

母线电流检测单元，用于检测母线电流并将所检测的电流信号转化为电压信号；

阈值比较单元，连接所述母线电流检测单元，用于将所述电压信号与设定的基准电压阈值进行比较；

下桥控制单元，连接所述阈值比较单元，用于在所述电压信号大于基准电压阈值时，将下桥IGBT管的正门极驱动电压稳压至第二电压，所述第二电压小于所述下桥IGBT管正常工作时的正门极驱动电压；

故障反馈单元，连接所述阈值比较单元，用于在所述电压信号大于基准电压阈值，且所述下桥IGBT管的正门极驱动电压稳压至第二电压后，向MCU反馈故障信号，且MCU根据所述故障信号停止输出正门极驱动信号。

2.根据权利要求1所述的保护模块，其特征在于，所述下桥控制单元包括第一光耦、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一稳压二极管、第二稳压二极管和第三稳压二极管，其中，所述第一光耦的初级发光二极管的正极连接所述阈值比较单元的第一输出端，所述第一光耦的初级发光二极管的负极连接所述阈值比较单元的第二输出端，所述第一光耦的光敏三极管的发射极连接负母线，所述第一光耦的光敏三极管的集电极分别接第一稳压二极管的正极、第二稳压二极管的正极和第三稳压二极管的正极，第一稳压二极管的负极、第二稳压二极管的负极和第三稳压二极管的负极分别接第一二极管的负极、第二二极管的负极和第三二极管的负极，第一二极管的正极、第二二极管的正极和第三二极管的正极分别接三路下桥IGBT管的门极。

3.根据权利要求2所述的保护模块，其特征在于，所述下桥控制单元还包括第一三极管、第二三极管和第三三极管，其中，第一三极管的发射极、第二三极管的发射极和第三三极管的发射极分别接第一稳压二极管的正极、第二稳压二极管的正极和第三稳压二极管的正极，第一三极管的基极、第二三极管的基极和第三三极管的基极分别接所述第一光耦的光敏三极管的集电极，第一三极管的集电极、第二三极管的集电极和第三三极管的集电极分别接负母线。

4.根据权利要求1所述的保护模块，其特征在于，所述下桥控制单元包括第二光耦、第四二极管、第五二极管、第六二极管和第四稳压二极管，其中，所述第二光耦的初级发光二极管的正极连接所述阈值比较单元的第一输出端，所述第二光耦的初级发光二极管的负极连接所述阈值比较单元的第二输出端，所述第二光耦的光敏三极管的发射极连接负母线，所述第二光耦的光敏三极管的集电极接第四稳压二极管的正极，第四稳压二极管的负极分别接第四二极管的负极、第五二极管的负极和第六二极管的负极，第四二极管的正极、第五二极管的正极和第六二极管的正极分别接三路下桥IGBT管的门极。

5.根据权利要求4所述的保护模块，其特征在于，所述下桥控制单元还包括第四三极管，所述第四三极管的发射极接第四稳压二极管的正极，所述第四三极管的基极接所述第二光耦的光敏三极管的集电极，所述第四三极管的集电极接负母线。

6.一种基于IGBT桥式开关拓扑的驱动电路，用于根据MCU输出的门极驱动信号驱动I GBT管，其特征在于，所述驱动电路包括权利要求1至5任一项所述的保护模块。

7.一种IGBT桥式开关拓扑，包括MCU，及用于根据MCU输出的门极驱动信号驱动IGBT管的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括权利要求1至5任一项所述的保护模块。

8.一种变频器，其特征在于，包括权利要求7所述的IGBT桥式开关拓扑。

9.一种逆变器，其特征在于，包括权利要求7所述的IGBT桥式开关拓扑。

10.一种开关电源，其特征在于，包括权利要求7所述的IGBT桥式开关拓扑。