[发明专利]非矩形发光器件

权利要求书

1.本发明的高出光效率的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，所述的半导体外延层包括N-类型限制层、发光层和P-类型限制层；所述的电极包括N-电极和P-电极；所述的半导体外延层形成在所述的外延生长衬底上，所述的N-电极和P-电极分别形成在所述的N-类型限制层和P-类型限制层上；其特征在于，所述芯片的顶视形状是非正方形或非矩形。

2.根据权利要求1的芯片，所述的芯片的侧面的形状是非矩形。

3.根据权利要求2的芯片，所述的芯片的侧面的形状是从一组形状中选出，该组形状包括梯形和倒梯形。

4.根据权利要求1的芯片，所述芯片的顶视形状是从一组形状中选出，该组形状包括，三角形、四边形、五边形、六边形、七边形，和八边形。

5.根据权利要求4的芯片，所述的芯片的顶视图是平行四边形。

6.根据权利要求5的芯片，所述的平行四边形芯片的相邻两边的长度的比例优选在0.1到10之间。

7.根据权利要求5的芯片，所述的平行四边形的芯片的相邻的两边的长度的比例等于1。

8.根据权利要求5的芯片，所述的平行四边形芯片其最大的内角优选要大于100°，或大于120°；或者在100-150°之间。

9.根据权利要求4的芯片，所述的三角形芯片，其最大的内角优选要大于100°，或大于120°；或者在100-150°之间。

10.根据权利要求1的芯片，所述的生长衬底的材料是从一组材料中选出，该组材料包括硅，氮化镓，氮化铝，砷化镓，氧化锌，尖晶石，锂酸铝，蓝宝石和碳化硅。

11.根据权利要求1的芯片，所述的半导体外延层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，III族氮化物、III族砷化物，III族磷化物，III族氮磷化合物，II-VI族化合物。

12.根据权利要求11的芯片，所述的III族氮化物材料包括：镓、铝、铟、氮的三元系、四元系材料；包括，GaN、AlGaN，GalnN、AlGalnN。

13.根据权利要求11的芯片，所述的III族氮磷化合物包括：镓、铝、铟、氮、磷的三元系、四元系和五元系材料；包括，GaNP、AlGaNP、GalnNP、AlGalnNP。

14.根据权利要求11的芯片，所述的II-VI族化合物包括ZnO，ZnS，ZnSe，ZnTe，CdS，CdSe，CdTe以及它们的三元，四元，或五元化合物。

15.根据权利要求11的芯片，所述的III族氮化物材料外延层的外延生长晶面是从一组晶面中选出，该组晶面包括：c-面、a-面、m-面，和r-面；所述的III族氮化物材料外延层的外延生长晶面是从一组晶面中选出，该组晶面包括：(00.1)面、(11.0)-面、(10.0)-面，和(11.2)-面。

16.本发明的高出光效率的芯片，包括衬底、N-电极和P-电极，N-类型限制层，发光层，P-类型限制层；其特征在于，所述芯片的顶视形状是非正方形或非矩形。