[发明专利]制造阵列基板的方法有效

专利信息
申请号: 201010259018.5 申请日: 2010-08-19
公开(公告)号: CN102074502A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 李洪九;金圣起;裵俊贤;金杞泰 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L21/311;H01L29/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 制造 阵列 方法
【权利要求书】:

1.一种制造阵列基板的方法,该方法包括:

形成选通线和与该选通线连接的栅极;

在所述选通线和所述栅极上依次形成栅绝缘层、本征非晶硅层、无机绝缘材料层和传热层;

向所述传热层上照射激光束以将所述本征非晶硅层晶化为多晶硅层;

去除所述传热层;

利用缓冲氧化刻蚀剂对所述无机绝缘材料层进行构图,以形成与所述栅极对应的刻蚀阻挡层,其中用于对所述无机绝缘材料层进行构图的步骤的第一处理时间长于完全去除所述无机绝缘材料层所最少需要的第二处理时间;

在所述刻蚀阻挡层和所述多晶硅层上依次形成掺杂非晶硅层和金属层;

对所述金属层进行构图以形成数据线、源极和漏极,对所述掺杂非晶硅层进行构图以形成欧姆接触层,并且对所述多晶硅层进行构图以形成有源层,其中,所述数据线与所述选通线交叉并与所述源极连接,所述漏极与所述源极隔开,所述源极的一端和所述漏极的一端与所述刻蚀阻挡层相交叠,所述欧姆接触层设置在所述源极和漏极的下面,并且所述有源层设置在所述欧姆接触层和所述刻蚀阻挡层的下面;

在所述数据线、所述源极和所述漏极上形成钝化层,并且所述钝化层包括露出所述漏极的一部分的漏极接触孔;以及

在所述钝化层上形成像素电极,并且该像素电极通过所述漏极接触孔与所述漏极的所述一部分相接触。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述栅绝缘层和所述无机绝缘材料层均由无机绝缘材料形成。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述栅绝缘层和所述无机绝缘材料层均由二氧化硅形成。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过使用固相材料作为激光束源来生成所述激光束。

5.根据权利要求1所述的方法,其中由所述传热层将所述激光束的能量转换为热能,并且经由所述无机绝缘材料层将所述热能传递到所述本征非晶硅层上。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述传热层由铬、铬合金、钛和钛合金中的一种形成。

7.根据权利要求1所述的方法,其中通过对所述无机绝缘材料层进行构图的步骤来去除在刻蚀所述无机绝缘材料层之后由于暴露于空气而在所述多晶硅层上自然形成的氧化层。

8.根据权利要求1所述的方法,其中在刻蚀所述无机绝缘材料层的步骤期间,所述栅绝缘层的整个表面覆盖有所述多晶硅层。

9.根据权利要求1所述的方法,其中对所述金属层、所述掺杂非晶硅层和所述多晶硅层进行构图的步骤包括:

在所述金属层上形成第一光刻胶图案、第二光刻胶图案和第三光刻胶图案,所述第一光刻胶图案对应于所述源极,所述第二光刻胶图案对应于所述漏极,并且所述第三光刻胶图案对应于所述数据线;

利用所述第一光刻胶图案、第二光刻胶图案和第三光刻胶图案刻蚀所述金属层以形成所述数据线、所述源极和所述漏极,并露出所述掺杂非晶硅层的多个部分;

刻蚀所述掺杂非晶硅层的所露出的多个部分和所述多晶硅层,以形成所述欧姆接触层和所述有源层;以及

去除所述第一光刻胶图案、第二光刻胶图案和第三光刻胶图案。

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