[发明专利]单晶棒破方方法

权利要求书

1.一种单晶棒破方方法，其特征在于，包括：

步骤1：向浆料缸中打入冷却液，将单晶棒安装在工作台的底座上；

步骤2：将金刚石钢线安装于所述工作台的放线轴上以低张力值进行走线形成线网，设置好高线位及低线位后以高张力值进行走线；

步骤3：将固定好的单晶棒的底座装入机床，并调整所述底座的位置使四周边料切割厚度相等，下降工作台，底部线网差1mm接触硅锭表面最高点，并设置为零点；

步骤4：关闭所有滑动门，设置切割参数开始切割，所述切割参数包括：工作台速度、线速度、流量、张力和回线率。

2.根据权利要求1所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述将单晶棒安装在工作台的底座上具体为：用悬臂吊将选择好的单晶棒置于粘接区，夹具夹紧单晶棒放入粘接装置，用环氧树脂胶将单晶棒和所述底座粘牢。

3.根据权利要求2所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述单晶棒的数量为一根。

4.根据权利要求3所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述冷却液为纯水。

5.根据权利要求3所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述冷却液为二乙醇胺与纯水的混合液。

6.根据权利要求5所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述二乙醇胺质量分数为3-5％。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述低张力值为10-20N。

8.根据权利要求7所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述高张力值为70-90N。

9.根据权利要求8所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述切割参数大小分别为：工作台速度为2300-2700um/min，线速度为13-15m/s，流量为120-140kg/min，张力为70-90N，回线率为99.2-99.6％。

10.根据权利要求9所述的单晶棒破方方法，其特征在于，所述步骤4之后还包括：

步骤5：待切割完毕后剪断收放线轴的两侧钢线，抽出内夹线，升起工作台，将电磁平台移出切割室，用套筒将每根单晶棒取出清洗。