[发明专利]光伏用单晶硅的掺杂方法

权利要求书

1.一种光伏用单晶硅的掺杂方法，其特征是步骤如下：

首先将多晶硅原料放入单晶炉，在主室中保护气氛内熔化，籽晶从副室插入液硅吊取小样，通过隔离主、副室将小样取出，然后用四探针测试小样的电阻率ρ_小，

小样的硼浓度N_小、母合金的硼浓度Nx，目标电阻率单晶硅的硼浓度Nm均通过公式1计算

N＝(1.33E+16/ρ)+1.082E+17/ρ×[1+(54.56×ρ)^1.105)]  公式1

即由电阻率ρ得到硼浓度N；

需要投入的母合金质量Gx通过公式2计算

Nm×G＝N×G+(Gx÷1000÷2.33)×Nx×K    公式2

其中，G是多晶硅原料的总投料量，分凝系数K为常数0.8；

将公式1和公式2利用Excel软件自动计算，输入量包括：目标电阻率，单位Ω.cm；总投料量G，单位kg；母合金电阻率，单位Ω.cm；小样的电阻率ρ_小，单位Ω.cm；输出量为母合金质量Gx，单位g；由Excel软件生成小样电阻率ρ_小和母合金质量Gx的对应值的表格，工人根据测出的小样电阻率ρ_小查表得到需要投入的母合金质量Gx。