[发明专利]具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺

权利要求书

1. 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管，包括衬底及形成于衬底上的第一外延层、第二外延层，该第一外延层包含P-GaN层，第二外延层包含 P-GaN 层、发光区和N-GaN 层，第二外延层上设置有导电层，导电层上设置有P电极，N-GaN 层上设置有N电极，其特征在于：发光二极管第一外延层及第二外延层侧面具有双层十字交错排列的贯穿孔洞结构。

2. 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其步骤如下：

1)    在衬底上镀第一过渡层；

2)    通过光罩、蚀刻，得第一图形化过渡层；

3)    在第一图形化过渡层长第一外延层；

4)    在第一外延层上镀第二过渡层；

5)    通过光罩、蚀刻，得与第一图形化过渡层成十字交错排列的第二图形化过渡层；

6)    在第二图形化过渡层长第二外延层；

7)    在第二外延层上镀保护层；

8)    切割出所定义尺寸的芯粒；

9)    通过湿蚀刻，去除衬底上的第一图形化过渡层、第二图形化过渡层及第二外延层上的保护层，形成双层十字交错排列的贯穿孔洞结构；

10)             在第二外延层上制作导电层；

11)             通过光罩、蚀刻工艺制作P电极和N电极。

3. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于衬底材料选用蓝宝石或碳化硅。

4. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于过渡层选自SiO₂、SiN_X、TiO₂或前述的任意组合之一。

5. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于第一图形化过渡层、第二图形化过渡层均呈周期性分布。

6. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于第一图形化过渡层的形状、第二图形化过渡层的形状均为矩形或多边形。

7. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于保护层选自SiO₂、SiN_X、TiO₂或前述的任意组合之一。

8. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于芯粒切割方法选用激光切割或钻石刀切割。

9. 如权利要求2所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于孔洞呈周期性分布。

10.          如权利要求 2 所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于孔洞的形状为矩形或除矩形外的多边形。

11.          如权利要求 2 所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于湿蚀刻采用的蚀刻液选自HF、NH₄F、CH₃COOH、H₂SO₄、H₂O₂或前述的任意组合之一。

12.          如权利要求 2 所述的具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管的制作工艺，其特征在于导电层材料选自Ni/Au合金、Ni/ITO合金、ITO或前述的任意组合之一。