[发明专利]一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片

权利要求书

1.一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于：在锗(Ge)单晶片为衬底依次生长底电池(p-Ge，n-Ge)，成核层(GaAs)，缓冲层(GaInAs)，势垒层(n-GaInAs)，第一隧道结(n++AlGaAs，p++GaInAs)，势垒层(p+GaInAs)，第二结电池(p-GaInAs，n-GaInAs)，第一窗口层(n+AlGaInP/AlInAs)，第二隧道结(n++GaInAs，p++AlGaAs)，第二势垒层(p+GaInP)，第三结电池(p-GaInP，n-GaInP)，第二窗口层(n+AlPSb)，第三隧道结(n++AlPSb，p++AlPSb)，第三势垒层(n+AlPSb)，第四结电池(p-AlPSb，n-AlPSb)，第三窗口层(n+AlPSb)，第四隧道结(n++ZnSSe，p++ZnSSe)，第四势垒层(n+ZnSSe)，顶电池(p-ZnSSe，n-ZnSSe)，第四窗口层(n+ZnSSe)，欧姆接触层(n+ZnSSe)。

2.一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其特征是：采用半导体单晶片为衬底，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池芯片。