[发明专利]纳米线元件的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及纳米线元件，尤其涉及一种纳米线元件的制作方法。

背景技术

在高度集成化浪潮的推动下，现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线(nanowire)具有极高的表面积对体积比，此一维结构在表面特征、机械性质、量子效应等方面皆有不俗的表现，因此根据不同材料的特性，其纳米线结构也相应的衍生了各种不同的应用，诸如：气体传感器、场效晶体管以及发光元件等。

然而，在利用纳米线制作纳米线元件的难度在于，如何克服其尺寸问题对纳米线加以对位和控制。倘若能够控制纳米线并使之大量规则排列，将会使得纳米线能够顺利的导入量产制程来制作纳米线元件。

有鉴于此，提供一种能够控制大量纳米线规则排列的纳米线元件的制作方法实为必要。

发明内容

一种纳米线元件的制作方法，其包括以下步骤：

提供压印模具，该压印模具包括第一基板及导电转印图案层，该导电转印图案层形成第一图案，该第一基板包括具有该第一图案的压印图案层，该导电转印图案层位于该压印图案层上，该导电转印图案层包括多个相互间隔的第一导电体；

向该导电转印图案层通交流电；

将纳米线悬浮液滴至该导电转印图案层并以介电泳方式将该纳米线悬浮液中的纳米线阵列排列在两相邻的第一导电体上，该纳米线阵列连接该两相邻的第一导电体；

提供被转印体，该被转印体包括第二基板及位于该第二基板上的被转印层；

以纳米压印方式使排列有该纳米线阵列的该导电转印图案层与该被转印层贴合压印，以使该被转印层具有与该第一图案相匹配的第二图案，该纳米线阵列被转移至该第二基板上；

在该被转印体上形成第一导电层以在该第二基板上形成导电图案层，该导电图案层具有与该第二图案相匹配的第三图案，该导电图案层包括多个相互间隔的第二导电体，该纳米线阵列连接两相邻的第二导电体；及

去除该被转印层。

本发明提供的纳米线元件的制作方法，其采用介电泳方式来规则排列大量的纳米线，并搭配纳米压印技术达到定位接触导电体的效果，大幅增加制程良率，提高纳米线元件的稳定电性。

附图说明

图1至图7为本发明第一实施方式提供的一种纳米线元件的制作方法各个步骤的示意图。

图8为经本发明第二实施方式提供的一种纳米线元件的制作方法所制得的纳米线元件的结构示意图。

主要元件符号说明

纳米线元件          100，600

压印模具            200

第一基板            20

导电转印图案层      30

第一导电体          31

纳米线阵列          32

被转印体            40

第二基板            41

被转印层            42

第一导电层          33

第二导电体          11

硅基板              21

压印图案层        22

绝缘层            61

导电图案层        10，60

第二导电层        62

第一图案区        601

第二图案区        602

具体实施方式

下面将结合图式对本发明作进一步详细说明。

请参阅图1至图7，本发明第一实施例提供的纳米线元件100的制作方法，其包括以下步骤：

A)提供压印模具200，该压印模具200包括第一基板20及导电转印图案层30，该导电转印图案层30形成第一图案，该第一基板20包括具有该第一图案的压印图案层22，该导电转印图案层30位于该压印图案层22上，该导电转印图案层30包括多个相互间隔的第一导电体31；

B)向该导电转印图案层30通交流电；

C)将纳米线悬浮液滴至该导电转印图案层30并以介电泳(Dielectrophoresis)方式将该纳米线悬浮液中的纳米线阵列32排列在两相邻的第一导电体31上，该纳米线阵列32连接该两相邻的第一导电体31；

D)提供被转印体40，该被转印体40包括第二基板41及位于该第二基板41上的被转印层42；