[发明专利]经全膜镀生产的镶嵌写入极

权利要求书

1.一种形成写入极的方法，包含如下步骤：

在晶片的衬底层上形成停止层，所述停止层具有位于所述衬底层中的镶嵌沟槽上方的开口；

在所述停止层上形成缓冲层，所述缓冲层具有位于所述停止层的所述开口上方的开口；

在所述晶片上镀磁性材料层；

在位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料区域上布置第一牺牲材料；

在所述晶片上进行铣削或蚀刻操作以去除不被所述第一牺牲材料覆盖的磁性材料以及去除所述第一牺牲材料；

在所述晶片上布置第二牺牲材料；以及

在所述晶片上进行抛光操作以去除位于所述镶嵌沟槽上方的所述磁性材料区域，去除所述第二牺牲材料，以及去除所述缓冲层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述晶片上镀所述磁性材料之前在所述晶片上布置种子层的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述进行铣削或蚀刻操作的步骤还去除所述种子层的不被所述第一牺牲材料覆盖的一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述进行铣削或蚀刻操作的步骤包括进行离子束蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在露出所述停止层之前停止所述铣削或蚀刻操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中进行所述抛光操作的步骤包括进行化学机械抛光。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述磁性材料和所述停止层之间的化学机械抛光选择性大于300∶1。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述停止层包括类金刚石碳。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述缓冲层包括AlOx，其中x是正整数。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁性材料包括CoNiFe、CoFe或NiFe。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一牺牲材料包括光刻胶。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二牺牲材料包括氧化铝。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括通过以下步骤在所述衬底层中形成所述镶嵌沟槽的步骤：

在所述衬底层上形成图案化掩膜层；以及

蚀刻所述衬底层的被所述图案化掩膜层露出的区域以形成所述镶嵌沟槽。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述衬底层中形成所述镶嵌沟槽的步骤还包括：

在所述晶片上布置氧化铝层以调整所述镶嵌沟槽的宽度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底层包括氧化铝。

16.一种磁性记录器件，包括根据权利要求1的方法形成的所述写入极。

17.一种形成多个写入极的方法，包含如下步骤：

在晶片的衬底层上形成停止层，所述停止层具有位于所述衬底层中的相应的多个镶嵌沟槽上方的第一多个开口；

在所述停止层上形成缓冲层，所述缓冲层具有位于所述停止层的所述第一多个开口的相应各个上方的第二多个开口；

在所述晶片上镀磁性材料层；

在位于所述多个镶嵌沟槽的相应各个上方的多个磁性材料区域上布置第一牺牲材料；

在所述晶片上进行铣削或蚀刻操作以去除不被所述第一牺牲材料覆盖的磁性材料以及去除所述第一牺牲材料；

在所述晶片上布置第二牺牲材料；以及

在所述晶片上进行抛光操作以去除位于所述多个镶嵌沟槽的相应各个上方的所述多个磁性材料区域，去除所述第二牺牲材料，以及去除所述缓冲层。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括在所述晶片上镀所述磁性材料之前在所述晶片上布置种子层的步骤。

19.根据权利要求18所述的方法，其中进行所述铣削或蚀刻操作的步骤还去除所述种子层的不被所述第一牺牲材料覆盖的部分。