[发明专利]膜沉积装置

权利要求书

1.一种膜沉积装置，其中膜沉积在纵向上移动的细长基板上进行，所述膜沉积装置包括：

CVD成膜室，其被设置在所述基板的移动路径上，包括原料气供给装置和第一抽真空装置，并且具有通过CVD在所述基板上进行膜沉积的功能；

处理室，其被设置在所述移动路径上的所述CVD成膜室的上游或下游，包括第二抽真空装置并且具有在所述基板上进行预定处理的功能；和

差压室，其被设置在所述移动路径上的所述CVD成膜室和所述处理室之间，并且与所述CVD成膜室和所述处理室连通，

其中所述差压室包括：第三抽真空装置；气体引入装置，其用于引入以下气体中的至少一种：惰性气体，和要被供给到所述CVD成膜室和所述处理室两者中的气体；和控制装置，其控制所述第三抽真空装置和所述气体引入装置以将所述差压室保持在比所述CVD成膜室和所述处理室更高的压力。

2.根据权利要求1所述的膜沉积装置，其中在所述处理室中，作为所述预定处理，于真空中在所述基板上进行膜沉积。

3.根据权利要求2所述的膜沉积装置，其中在所述处理室中，作为所述预定处理，通过CVD在所述基板上进行膜沉积。

4.根据权利要求1或2所述的膜沉积装置，其中在所述处理室中，作为所述预定处理，进行以下处理中的至少一个：由所述基板卷绕成的基板卷材供给所述基板；和将在所述CVD成膜室中经过所述膜沉积的所述基板卷取。

5.根据权利要求1或2所述的膜沉积装置，所述膜沉积装置还包括一个真空室，

其中所述CVD成膜室、所述处理室和所述差压室被设置在所述一个真空室中。

6.根据权利要求1或2所述的膜沉积装置，其中所述膜沉积装置包括所述基板在其外周边表面上移动的鼓，并且其中所述CVD成膜室、所述处理室和所述差压室中的至少一个与所述鼓的所述外周边表面构成室。

7.根据权利要求6所述的膜沉积装置，其中所述CVD成膜室、所述处理室和所述差压室中的每一个与所述鼓的所述外周边表面构成室。

8.根据权利要求1或2所述的膜沉积装置，其中所述控制装置将所述差压室保持在比所述CVD成膜室和所述处理室中具有较高压力的那一个高至少5Pa的压力。

9.根据权利要求1或2所述的膜沉积装置，其中所述CVD成膜室具有通过等离子体增强CVD沉积气体阻挡膜的功能。

10.一种膜沉积装置，其中膜沉积在纵向上移动的细长基板上进行，所述膜沉积装置包括：

至少一个CVD成膜室，其被设置在所述基板的移动路径上，并且具有通过CVD在所述基板上进行膜沉积的功能；

差压室，其被设置在所述移动路径上，使得所述至少一个CVD成膜室置于所述差压室之间，并且与所述差压室连通；

至少一个膜沉积处理室，其被设置在所述移动路径上，并且具有于真空中在所述基板上进行膜沉积的功能；

第一处理室，其被设置在所述移动路径的上游端，并且具有由所述基板卷绕成的基板卷材供给所述基板的功能；和

第二处理室，其被设置在所述移动路径的下游端，并且具有卷绕在所述至少一个CVD成膜室中经过膜沉积的所述基板的功能，

其中所述至少一个膜沉积处理室、所述第一处理室和所述第二处理室中的至少一个处理室与所述差压室连通，并且被设置为通过所述差压室与所述至少一个CVD成膜室相邻，并且

其中所述差压室的每一个包括：抽真空装置；气体引入装置，其用于引入以下气体中的至少一种：惰性气体，和要被供给到所述至少一个CVD成膜室和与所述至少一个CVD成膜室相邻的所述至少一个处理室两者的气体；和控制装置，其控制所述抽真空装置和所述气体引入装置以将所述差压室保持在比所述至少一个CVD成膜室和与所述至少一个CVD成膜室相邻的所述至少一个处理室更高的压力。

11.根据权利要求10所述的膜沉积装置，其中所述至少一个膜沉积处理室是通过CVD在所述基板上进行膜沉积的所述至少一个CVD成膜室，并且将所述差压室中的一个设置在相邻的两个CVD成膜室之间，并且与所述相邻的两个CVD成膜室连通。

12.根据权利要求10或11所述的膜沉积装置，其中所述至少一个CVD成膜室包括多个CVD成膜室。