[发明专利]一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法有效
| 申请号： | 201010261589.2 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376552A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张轲;潘贤俊;车永强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;G03F7/42;G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 工艺 防止 栅极 损坏 方法 | ||
1.一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，所述离子注入工艺包括形成光刻胶步骤、离子注入步骤、等离子体去除光刻胶步骤，其特征在于，在所述离子注入步骤和等离子去除光刻胶步骤之间还包括表面处理步骤，所述表面处理步骤包括：冲洗步骤，利用溶剂冲洗光刻胶表面；烘烤步骤，烘烤所述光刻胶；冷却步骤，冷却所述光刻胶。
2.如权利要求1所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述冲洗步骤中，将所述溶剂滴在所述光刻胶表面的同时，水平旋转所述光刻胶，以使所述溶剂均匀地分布在所述光刻胶表面。
3.如权利要求1或2中所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述冲洗步骤中，所述溶剂为丙二醇单甲基醚与丙二醇甲醚醋酸酯的混合物，其中所述丙二醇单甲基醚的含量为65％～75％。
4.如权利要求1或2中所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述冲洗步骤中，所述溶剂的流量为1.0*10-3～1.4*10-3mL/s。
5.如权利要求1或2中所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述冲洗步骤中，冲洗的时间为1.2～1.7s。
6.如权利要求1所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述烘烤步骤中，烘烤的温度为215～235℃。
7.如权利要求1所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述烘烤步骤中，烘烤的时间为50s～60s。
8.如权利要求1所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述冷却步骤中，冷却方法为离子水冷却。
9.如权利要求1所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述冷却步骤中，冷却的环境温度为20～30℃。
10.如权利要求1所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在等离子体去除光刻胶步骤中，所述等离子体为氧气等离子体或含有氟的无氧等离子体。
11.如权利要求11所述的离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，其特征在于，在所述等离子体去除光刻胶步骤后还包括湿法清洗步骤，所述湿法清洗步骤的清洗液为硫酸和臭氧的混合物。
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