[发明专利]显影工艺的检测版图以及显影工艺的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种显影工艺的检测版图以及显影工艺的检测方法。 

背景技术

在半导体集成电路制造工艺中，光刻工艺有着举足轻重的地位。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光阻图案，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。因此，光刻工艺水平的高低会直接影响刻蚀或离子注入的结果，并最终影响形成的半导体器件的电性能。 

光刻工艺主要包括以下步骤：首先，在半导体衬底上通过旋涂的方法形成光阻层；接着，执行软烘烤工艺，去除所述光阻层中的溶剂，并增加光阻层与半导体衬底表面的粘附性；随后，将所述半导体衬底传送至曝光设备，通过一系列的对准动作后，对所述半导体衬底表面的光阻层进行曝光，以将掩模板上预定好的图案转移到光阻层上，所述光阻层上被曝光区域的光阻发生光化学反应，其中，对于正型光阻而言，被曝光的光阻可溶于显影液，而对于负型光阻而言，被曝光的光阻不溶于显影液，而未曝光的光阻则可溶于显影液；接下来，对显影后的光阻层进行曝光后烘烤，以消除曝光时的驻波效应；最后，对所述半导体衬底上的光阻层执行显影工艺，向所述半导体衬底表面喷洒显影液，以形成光阻图案。 

所述显影工艺是光刻工艺中的重要步骤，业界通常利用显影设备完成显影工艺。具体请参考图1，其为显影设备的示意图，如图1所示，显影设备10包括显影液供应装置11、显影液喷嘴12以及真空吸盘(未图示)，所述真空吸盘用于承载半导体衬底13，所述半导体衬底13表面形成有光阻层。在显影过程中，首先，利用显影液喷嘴12将显影液供应装置11提供的显影液喷洒在半导体衬底13表面；之后，显影液在所述半导体衬底13表面驻留一定时间；然后，真 空吸盘高速旋转，带动所述半导体衬底13高速旋转，使显影液流向所述半导体衬底13的外缘，并流出所述半导体衬底13表面；其后，使用去离子水漂洗所述半导体衬底13；最后，旋转所述半导体衬底13，将其甩干。 

在显影工艺中，显影液流量对显影工艺的质量至关重要，若显影液流量过小或过大都将导致半导体衬底表面形成光阻残留缺陷，该缺陷将进一步引起刻蚀或离子注入缺陷，造成最终形成的半导体器件的稳定性下降，影响半导体器件的电学性能。因此，必须严格控制显影液喷嘴所喷洒的显影液数量。 

目前，为了检测显影工艺中显影液流量是否满足工艺要求，通常是使显影设备10进入维护状态，操作人员将一测量器具(如量筒)放置到显影液喷嘴12下方，并使显影设备10运行特殊的喷液程序，使显影液喷嘴12喷洒的显影液全部流入到测量器具中，进而判断显影液流量是否符合工艺要求。然而，在实际生产中发现，由于上述检测方法必须在显影设备处于维护状态时才能进行，严重影响显影设备的产能；并且，该测量过程比较繁琐，不利于提高生产效率。 

发明内容

本发明的目的在于，提供一种显影工艺的检测版图以及显影工艺的检测方法，以解决现有技术中显影液流量检测程序繁琐且效率低下的问题，提高显影设备的产能。 

为解决上述技术问题，本发明提供一种显影工艺的检测版图，所述检测版图用于检测显影工艺的显影液流量，所述检测版图包括至少一组检测图案，所述检测图案包括多个线条图形。 

可选的，在所述显影工艺的检测版图中，所述检测版图包括多组检测图案，所述多组检测图案等间距设置。 

可选的，在所述显影工艺的检测版图中，所述检测图案中的多个线条图形排列成四边形。 

可选的，在所述显影工艺的检测版图中，所述检测图案中的多个线条图形排列成五边形。 

可选的，在所述显影工艺的检测版图中，所述检测图案中的多个线条图形排列成六边形。 

可选的，在所述显影工艺的检测版图中，所述线条图形的线宽为1～2μm。 

本发明还提供一种显影工艺的检测方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有光阻层；通过曝光工艺将所述检测版图转移到所述光阻层上，以将所述光阻层划分为需去除区域和需保留区域，所述需保留区域与所述线条图形相对应；对所述半导体衬底执行显影工艺；根据所述需去除区域的光阻的去除情况，来判断所述显影工艺的显影液流量是否符合工艺要求。 

可选的，在所述显影工艺的检测方法中，若所述需去除区域的光阻被完全去除，则判定显影工艺的显影液流量符合工艺要求。 

可选的，在所述显影工艺的检测方法中，若所述需去除区域的部分光阻残留在所述半导体衬底上，则判定显影工艺的显影液流量不符合工艺要求。