[发明专利]感光组件有效

专利信息
申请号: 201010261666.4 申请日: 2009-04-21
公开(公告)号: CN101958357A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 李威龙;王文哲 申请(专利权)人: 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L31/10 分类号: H01L31/10;H01L31/0352;H01L31/0224
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350015 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 感光 组件
【说明书】:

技术领域

发明提供一种感光组件,尤指一种设于液晶显示器中用以感测环境光源的感光组件。

背景技术

液晶显示器由于具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性,所以被广泛地应用在笔记型计算机(notebook)、与个人数字助理(personal digital assistant, PDA)等可携式信息装置上。近来,随着可携式信息装置的功能日趋复杂,其显示质量的要求日益增加,如何在室内与室外都能够清晰的呈现影像,成了目前液晶显示技术的重要课题。在这样的需求下,半穿透半反射式(Transflective mode)液晶显示技术、环境光感组件(Ambient Light Sensor, ALS)等技术因而产生。

    透过ALS技术,系统可以测量环境照明的强度并将液晶显示器的背光亮度随之调整,不仅能够降低行动显示装置成本并可节省其设计空间,还可因应不同照明环境下,调整背光模块的亮度,节省终端使用者的电池使用时间及提供更佳的画质。在环境亮度高的场合,例如阳光下,终端使用者可以提高背光强度来改善行动显示设备的阅读清晰度;反之,在环境亮度较低的场合,则可以降低液晶显示器的背光强度来取得较佳的画质。

请参考图1与图2,图1为已知液晶显示器的ALS感光组件的上视示意图,而图2为图1沿着I-I’截线的剖面示意图。已知液晶显示器包含一第一基板100、一第二基板200、介于两者之间的绝缘层300,例如液晶层,以及一形成于第一基板100上的感光组件110。如图1与图2所示,感光组件110设置于第一基板100的一基底基板101上,由闸极111、源极113和汲极114,以及夹在闸极111与源极113、汲极114之间的闸极绝缘层102与半导体层112所构成,且感光组件110是伴随液晶显示器的薄膜晶体管(TFT)的各式微影暨蚀刻(PEP)制程步骤一起形成。而半导体层112由一活性层(activation layer)112a以及一奥姆接触层(resistive contact layer)112b所构成,且上述半导体层112是对应源极113与汲极114形成时,去除奥姆接触层112b的其中一部分,以露出活性层112a的通道部(Channel, CH)115。

第二基板200包含有一基底基板201以及一遮光层210设在相对于第一基板100的表面,且遮光层210具有一感光窗口211,其长与宽皆大于通道部CH的长与宽,以利外界环境光源的入射。当光透过感光窗口211入射至通道部CH时,光诱导电流(light induced current)即因光激发电子-电洞对而产生,光诱导电流的密度与入射光成正比。对应于入射光,电子-电洞对产生在源极113及汲极114中的通道部CH,所产生的电子及电洞对沿着通道部CH移动,使光诱导电流被产生。

然而,即便目前ALS技术可以将功能直接整合在液晶显示器的基板上,节省额外设置的独立亮度传感器的需求,但如何能在有限的空间下感测最适当的环境光源,减轻成本压力以及空间受限的问题仍须努力。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的即是提供一种感光组件与液晶显示器的整合结构,以解决前述问题。

    依据本发明的目的,本发明提供一种用于液晶显示器的感光组件。该感光组件包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该闸极,设于一第一基板上,而该闸极绝缘层,设于该闸极上与该第一基板上。该半导体层,设于该闸极上方的该闸极绝缘层上。该源极与该汲极皆设于该半导体层上,且该源极与该汲极有一沿第一方向延伸的一第一主电极与一第二主电极以及从该第一主电极与该第二主电极往第二方向延伸出去的至少一第一长梳齿电极以及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极以及至少一第二短梳齿电极,且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列。

依据本发明的目的,本发明另提供一种用于液晶显示器的感光组件,该感光组件包含一闸极、一闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该闸极,设于一第一基板上,而该闸极绝缘层,设于该闸极上与该第一基板上。该半导体层,设于该闸极上方的该闸极绝缘层上。该源极与该汲极皆设于该半导体层上,其中该源极与该汲极以同一中心且互相平行的环绕方式设置于该半导体层与该闸极绝缘层上,且该源极与该汲极之间具有一信道部,该信道部包含一感光区。

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