[发明专利]纪念币模具表面制备氮化钽涂层的工艺方法有效
申请号: | 201010261685.7 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102373471A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 刘迪;刘志刚;赖茂明;康今哲;朱慕平;唐光泽;张吉刚;孙志国;马麟 | 申请(专利权)人: | 中国印钞造币总公司 |
主分类号: | C23C28/04 | 分类号: | C23C28/04 |
代理公司: | 辽宁沈阳国兴专利代理有限公司 21100 | 代理人: | 李丛 |
地址: | 100044 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纪念币 模具 表面 制备 氮化 涂层 工艺 方法 | ||
1.纪念币模具表面制备氮化钽涂层的工艺方法,其特征在于包括下述步骤:
①对模具进行氮等离子体基离子注入表面处理,采用气体为纯度99.999%高纯氮气,用射频激发氮等离子体,注入电压为60kV,注入剂量为3×1017-5×1017离子/cm2;
②将上述表面处理过的模具进行加热,使模具温度升至200-300℃;
③对上述升温后的模具,采用磁控溅射在模具表面沉积一层厚度为30-100nm钽膜;
④对上述钽膜进行等离子体基离子注入处理,形成氮化钽层,注入电压为45-60kV,注入剂量为0.5×1017-1×1017离子/cm2;
⑤反复进行上述步骤③和步骤④,直至获得厚度为1-2μm的氮化钽涂层。
2.根据权利要求1所述的纪念币模具表面制备氮化钽涂层的工艺方法,其特征在于包括下述步骤:①对模具进行氮等离子体基离子注入表面处理,采用气体为纯度99.999%高纯氮气,用射频激发氮等离子体,注入电压为60kV,注入剂量为3×1017离子/cm2②将上述表面处理过的模具进行加热,使模具温度升至200℃;③对上述升温后的模具,采用磁控溅射在模具表面沉积一层厚度为30nm钽膜;④对上述钽膜进行等离子体基离子注入处理,形成氮化钽层,注入电压为45kV,注入剂量为0.5×1017离子/cm2;⑤反复进行步骤③和④共40次,直至获得厚度为1.2μm的氮化钽涂层。
3.根据权利要求1所述的纪念币模具表面制备氮化钽涂层的工艺方法,其特征在于包括下述步骤:①对模具进行氮等离子体基离子注入表面处理,采用气体为纯度99.999%高纯氮气,用射频激发氮等离子体,注入电压为60kV,注入剂量为5×1017离子/cm2②将上述表面处理过的模具进行加热,使模具温度升至300℃;③对上述升温后的模具,采用磁控溅射在模具表面沉积一层厚度为100nm钽膜;④对上述钽膜进行等离子体基离子注入处理,形成氮化钽层,注入电压为60kV,注入剂量为1×1017离子/cm2;⑤反复进行步骤③和④共20次,直至获得厚度为2μm的氮化钽涂层。
4.根据权利要求1所述的纪念币模具表面制备氮化钽涂层的工艺方法,其特征在于包括下述步骤:①对模具进行氮等离子体基离子注入表面处理,采用气体为纯度99.999%高纯氮气,用射频激发氮等离子体,注入电压为60kV,注入剂量为4×1017离子/cm2②将上述表面处理过的模具进行加热,使模具温度升至250℃;③对上述升温后的模具,采用磁控溅射在模具表面沉积一层厚度为50nm钽膜;④对上述钽膜进行等离子体基离子注入处理,形成氮化钽层,注入电压为60kV,注入剂量为1×1017离子/cm2;⑤反复进行步骤③和④共30次,直至获得厚度为1.5μm的氮化钽涂层。
5.根据权利要求1所述的纪念币模具表面制备氮化钽涂层的工艺方法,其特征在于包括下述步骤:①对模具进行氮等离子体基离子注入表面处理,采用气体为纯度99.999%高纯氮气,用射频激发氮等离子体,注入电压为60kV,注入剂量为3×1017离子/cm2②将上述表面处理过的模具进行加热,使模具温度升至300℃;③对上述升温后的模具,采用磁控溅射在模具表面沉积一层厚度为40nm钽膜;④对上述钽膜进行等离子体基离子注入处理,形成氮化钽层。注入电压为60kV,注入剂量为0.5×1017离子/cm2;⑤反复进行步骤③和④共25次,直至获得厚度为1μm的氮化钽涂层。
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