[发明专利]双银低辐射玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种双银低辐射玻璃，其特征在于，该玻璃膜层结构依次为：玻璃、第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第一阻挡层、第一AgCu层、第二阻挡层、第一上层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层、第三阻挡层、第二AgCu层、第四阻挡层、上层电介质组合层；其中，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层膜层材质为还原性大于AgCu的材料。

2.如权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一基层电介质组合层、第二隔层电介质组合层由包含NbO_x、TiO_x、NiCrO_x和ZnO:Al中至少一种的金属氧化物构成；

所述第二基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层由包含AZO的金属氧化物构成；

所述上层电介质组合层由包含AZO和SiO_xN_y中至少一种的氧化物或氮化物或氮氧化物构成。

3.如权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一基层电介质组合层厚度为20～25nm；

所述第二隔层电介质组合层厚度为45～50nm；

所述第二基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层厚度10～15nm；

所述上层电介质组合层厚度为35～45nm。

4.如权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层由包含Nb和Nb的不完全氧化物中的至少一种的金属或金属氧化物构成。

5.如权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层厚度分别为1～1.5nm。

6.如权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一AgCu层、第二AgCu层由质量比Ag为70～80％，Cu为30～20％的银铜合金构成；

所述第一AgCu层、第二AgCu层厚度为10～13nm。

7.如权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述上层电介质组合层包括沉积于所述第四阻挡层上的第一上层电介质组合层和沉积于所述第一上层电介质组合层上的第二上层电介质组合层；

所述第一上层电介质组合层的厚度为10～15nm；

所述第二上层电介质组合层的厚度为25～30nm。

8.如权利要求7所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一上层电介质组合层由包含AZO的氧化物或氮化物构成；

所述第二上层电介质组合层由包含SiO_xN_y的氮氧化物构成。

9.一种如权利要求1～8任一项所述的双银低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，包括依次沉积各膜层的步骤，具体如下：

S1、清洗玻璃，干燥后置于磁控溅射区；

S2、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一基层电介质组合层；

S3、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二基层电介质组合层；

S4、直流电源加脉冲溅射沉积第一阻挡层；

S5、直流电源加脉冲溅射沉积第一AgCu层；

S6、直流电源加脉冲溅射沉积第二阻挡层；

S7、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一隔层电介质组合层；

S8、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二隔层电介质组合层；

S9、中频电源加旋转阴极溅射沉积第三隔层电介质组合层；

S10、直流电源加脉冲溅射沉积第三阻挡层；

S11、直流电源加脉冲溅射沉积第二AgCu层；

S12、直流电源加脉冲溅射沉积第四阻挡层；

S13、中频电源加旋转阴极溅射沉积上层电介质组合层；

其中，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层膜层材质为还原性大于AgCu的材料。

10.如权利要求9所述的双银低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，所述中频电源加旋转阴极溅射是在氩氮或氩氧氛围中进行，频率为40kHz，功率为20～90kW；

所述直流电源加脉冲溅射是在氩气氛围中进行，功率为2～5kW。