[发明专利]光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种光刻设备，所述光刻设备布置用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中所述设备能够操作用于测量所述图案形成装置的更高阶变形和/或像平面偏差，所述设备包括：

用于透射检测的装置；和

处理器，所述处理器配置和布置用于使用从所述用于透射检测的装置接收的信号对所述图案形成装置的更高阶变形进行建模，

其中所述图案形成装置具有主成像场和周界，且所述设备能够操作用于使用从对准结构产生的信号对所述更高阶变形进行建模，所述对准结构包括在所述周界的至少三个侧面中和/或包括在所述像场中。

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述用于透射检测的装置包括透射图像检测器。

3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中，所述透射图像检测器包括多个对准结构和多个辐射敏感传感器，以使得所述辐射也被透射通过所述用于透射检测的装置的所述对准结构和被所述辐射敏感传感器所接收以便产生测量信号。

4.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述用于透射检测的装置包括干涉仪。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，还包括：

照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束；

图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；

衬底台，所述衬底台构造成保持衬底，所述用于透射检测的装置被布置在所述衬底台上；和

投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到所述衬底的目标部分上。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述图案形成装置设置有附加的对准结构，所述附加的对准结构用于对所述图案形成装置的变形的改进测量。

7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中，所述附加的对准结构中的至少一些被设置在所述图案形成装置的所述周界中，所述结构用于在x或y方向上对准的扩展建模。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述附加的对准结构包括用于聚焦测量的结构。

9.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述光刻设备能够操作使得更高阶变形和/或像平面偏差通过预定数量的晶片仅仅一次地确定，并被存储以供以后参考。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中，所述光刻设备能够操作使得更高阶变形和/或像平面偏差在所述光刻设备离线时被确定，并被存储以供以后参考。

11.一种确定光刻设备的图案形成装置的更高阶变形的方法，所述方法包括步骤：

用图案形成装置将图案在辐射束的横截面赋予辐射束以形成图案化的辐射束，所述图案形成装置包括主成像场、周界和多个对准结构；

检测透射通过所述图案形成装置的所述对准结构和进入用于透射检测的装置的辐射的透射；

由所检测到的辐射产生测量信号；和

使用得自透射通过对准结构的辐射的测量信号来确定所述图案形成装置的更高阶变形和/或像平面偏差，所述对准结构被包括在所述周界的至少三个侧面中和/或被包括在所述像场中。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所使用的图案形成装置具有沿着其侧面布置的附加的对准结构，用于在x或y方向上对准的扩展建模，所述附加的对准结构是在基础的低阶对准所需要的标准结构上附加的。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，所使用的图案形成装置具有被包括在其像场中的附加的对准结构。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其中，所述附加的对准结构包括用于聚焦测量的附加的对准结构，所述方法包括步骤：对聚焦项或像平面偏差进行扩展建模以及追踪所述图案形成装置的形状校正随时间的变化。

15.一种用于光刻设备中的图案形成装置，所述图案形成装置具有主成像场和周界，其中所述图案形成装置设置有附加的对准结构，所述附加的对准结构用于对所述图案形成装置的变形和/或像平面偏差的改进测量，其中，所述附加的对准结构中的至少一些设置在所述周界中，所述结构设置用于除基础的低阶对准所需要的标准结构之外的对准的扩展建模。