[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 201010262887.3 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN102376865A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 赖志铭 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L25/13 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600 上海市松江区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管。
背景技术
发光二极管(Light-emitting Diode,LED)的寿命是一般灯泡要的50~100倍,而其耗电量仅为一般灯泡的1/3~1/5,可望在二十一世纪取代现有的钨丝灯、水银灯、冷阴极荧光灯等,成为既节能又环保的新照明光源。
现有的LED结构,是将LED芯片封装后粘着于一印刷电路板(PrintedCircuit Board,PCB)上,然后将PCB与一金属基板结合以散发LED芯片产生的热量。然而,此种LED结构中,LED芯片产生的热量需要经过PCB才能传递至基板,热量传递的界面层较多,且PCB的材料一般为FR-4(由环氧树脂与玻璃纤维含浸压覆而成),其热传导性能不佳,因此LED芯片产生的热量难以快速地传导至基板散发,导致LED芯片温度的升高,严重影响LED的发光效率及其使用寿命,因此如何快速有效地散发LED所产生的热量,已成为影响LED品质与寿命的关键因素。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种具有良好的散热效果的发光二极管。
一种发光二极管,包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体,所述基板为不导电陶瓷材料,基板上直接形成电路层,所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接。
与现有技术相比,本发明的发光二极管在基板上直接形成电路,芯片直接结合于基板上,有效减小芯片与基板之间的界面层,从而芯片产生的热量能够直接传导至基板散发,提升发光二极管的发光效率与使用寿命。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步说明。
图1为本发明一较佳实施例发光二极管的立体结构示意图。
图2为图1所示发光二极管的剖视图。
图3为发光二极管第二实施例的剖视图。
图4为发光二极管第三实施例的剖视图。
图5为发光二极管第四实施例的剖视图。
图6为发光二极管第五实施例的剖视图。
主要元件符号说明
发光二极管 100、300、400、500、600
基板 10、310、410、510、610
顶面 12、312
容置槽 14、314
电路层 16
芯片 20
衬底 22
PN结 24
电极 26
封装体 30、330、430、530、630
外表面 32、336、538
底层 332、432、532
外层 334、434、536
电极 40
银胶 350
导热膏 460、560、660
中间层 534
界面 535
具体实施方式
如图1所示,本发明第一实施例发光二极管100包括基板10、设置在基板10上的芯片20、密封芯片20的封装体30、以及用于连接外界电源(图未示)的电极40。
所述基板10为不导电、高热导率、低热膨胀系数的陶瓷材料,如氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化锆(ZrO2)、碳化硼(B4C)、二硼化钛(TiB2)、氧化铝(AlxOy)、氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)、赛隆(Sialon)或前述材料的混合物。
请同时参阅图2,本实施例中,基板10呈方形薄板状结构。基板10的顶面12的中央位置向下凹陷形成容置槽14,基板10于对应容置槽14的底部的位置上直接形成有电路层16。
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