[发明专利]清洗晶片的方法

权利要求书

1.一种清洗晶片的方法，所述晶片上具有铝垫，其中，所述方法包括以下清洗步骤：使用四甲基氢氧化铵水溶液对所述晶片进行清洗；所述四甲基氢氧化铵水溶液中的四甲基氢氧化铵的含量为1.0重量％至9.8重量％，所述清洗步骤的持续时间为15秒至40秒，所述清洗步骤在15℃至30℃的温度下进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述四甲基氢氧化铵水溶液中的四甲基氢氧化铵的含量为4.0重量％至6.0重量％。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述清洗步骤在20℃至25℃的温度下进行。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述方法还包括：在实施所述清洗步骤之前和/或之后，对所述晶片进行状态稳定处理步骤，所述状态稳定处理步骤包括：将所述晶片移入晶片稳定处理装置内静置10秒至30秒，所述晶片稳定处理装置的温度为20℃至25℃。

5.根据权利要求4所述的方法，所述晶片稳定处理装置内的压力为常压。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在实施所述清洗步骤之后，所述方法还包括以下水洗步骤：使用去离子水对所述晶片进行水洗。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括在所述水洗步骤之后实施的状态稳定处理步骤，所述状态稳定处理步骤包括：将所述晶片移入晶片稳定处理装置内静置10秒至30秒，所述晶片稳定处理装置内的温度为20℃至25℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洗在常压中进行。