[发明专利]用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法

权利要求书

1.一种用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法，包括：

提供前端器件结构，所述前端器件结构包括底部电极、相变电阻层和绝缘层，所述底部电极和所述相变电阻层形成于所述绝缘层中，所述相变电阻层位于所述底部电极上方，并且所述相变电阻层的表面露出在所述绝缘层的表面上；

对所述相变电阻层的表面进行离子注入；

在所述相变电阻层的表面和所述绝缘层的表面上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上形成介电层；

蚀刻所述介电层和所述蚀刻停止层，直至露出所述相变电阻层的表面，以在所述介电层和所述蚀刻停止层中形成位于所述相变电阻层正上方的开口；以及

在所述开口中填充金属材料，以形成顶部电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对所述相变电阻层的表面进行离子注入包括：

在所述相变电阻层的表面上形成具有图案的光致抗蚀剂层；

以所述光致抗蚀剂层作为掩膜，对所述相变电阻层进行离子注入；以及

去除所述光致抗蚀剂层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入使用硼基掺杂剂。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述硼基掺杂剂包含硼和氟化硼中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述离子注入的能量为100～4000eV并且剂量为5×10¹⁴～5×10¹⁵cm^-2。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相变电阻层的构成材料选自Ge_xSb_yTe_(1-x-y)、Si_xSb_yTe_(1-x-y)、Se_xSb_yTe_(1-x-y)、Pb_xSb_yTe_(1-x-y)、Ag_xIn_yTe_(1-x-y)、Ag_xSb_yTe_(1-x-y)和Ge_xAs_yTe_(1-x-y)，其中0≤x≤1，0≤y≤1。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的构成材料选自SiC、SiN、SiON和NDC。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述蚀刻停止层由SiN构成且厚度为200～600埃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电层的构成材料选自掺氟硅玻璃、氧化层和低k材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述介电层和所述蚀刻停止层的源气体为氟基气体。

11.一种包含通过根据权利要求1至10中任一项所述的方法制作的存储单元的电子设备，其中，所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。