[发明专利]平面螺旋电感有效
| 申请号： | 201010263865.9 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102208405A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 石艳玲;李曦;张建军;赵宇航;王勇 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01F37/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 螺旋 电感 | ||
1.一种平面螺旋电感，包括：
半导体衬底；
介质层，形成于所述半导体衬底上；
平面螺旋电感主体，形成于所述介质层上；
绝缘隔离结构，形成于半导体衬底中并与所述平面螺旋电感主体相对应。
2.如权利要求1所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述平面螺旋电感主体包括：多圈线圈以及位于所述多圈线圈之间的间隔区域。
3.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于平面螺旋电感主体的下方。
4.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于所述间隔区域的下方。
5.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于多圈线圈的最内圈线圈以内区域下方。
6.如权利要求2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构位于间隔区域的转角处的下方。
7.如权利要求1所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的材质与所述介质层的材质相同。
8.如权利要求1所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的材质与所述介质层的材质不相同。
9.如权利要求7或8所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或其任意组合。
10.如权利要求1或2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构的厚度为0.01～100微米。
11.如权利要求1或2所述的平面螺旋电感，其特征在于，所述绝缘隔离结构是通过浅沟槽隔离工艺、深沟槽隔离工艺或干法刻蚀工艺形成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司，未经华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010263865.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
