[发明专利]混频器无效
| 申请号： | 201010263875.2 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101938254A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 冯程程;叶红波;任铮 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混频器 | ||
1.一种混频器，包括差动连接的第一晶体管、第二晶体管以及第一本振信号输入端和第二本振信号输入端，其特征在于，所述混频器还包括第一耦合电路和第二耦合电路，所述第一耦合电路连接在所述第一本振信号输入端和所述第一晶体管的衬底之间，所述第二耦合电路连接在所述第二本振信号输入端和所述第二晶体管的衬底之间。
2.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，所述第一耦合电路包括第一耦合电容，所述第一耦合电容连接于所述第一晶体管的栅极和衬底之间。
3.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，所述第二耦合电路包括第二耦合电容，所述第二耦合电容连接于所述第二晶体管的栅极和衬底之间。
4.如权利要求1所述的混频器，其特征在于，所述混频器还包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的栅极接收射频信号，所述第三晶体管的漏极连接所述第一晶体管和第二晶体管的源极。
5.如权利要求4所述的混频器，其特征在于，所述第一晶体管的栅极连接所述第一本振信号输入端，所述第一晶体管的漏极经第一电容连接所述混频器的第一信号输出端。
6.如权利要求5所述的混频器，其特征在于，所述混频器还包括第一电阻，所述第一晶体管的漏极经所述第一电阻连接直流电源。
7.如权利要求4所述的混频器，其特征在于，所述第二晶体管的栅极连接所述第二本振信号输入端，所述第二晶体管的漏极经第二电容连接所述混频器的第二信号输出端。
8.如权利要求7所述的混频器，其特征在于，所述混频器还包括第二电阻，所述第二晶体管的漏极经所述第二电阻连接直流电源。
9.如权利要求4到8中的任意一项所述的混频器，其特征在于，所述第一、第二、第三晶体管是N型MOS管。
10.如权利要求4到8中的任意一项所述的混频器，其特征在于，所述本振信号为的频率为2.39GHz，所述射频信号的频率为2.4GHz。
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