[发明专利]一种化学机械抛光液无效
申请号: | 201010264165.1 | 申请日: | 2010-08-24 |
公开(公告)号: | CN102373014A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 徐春 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C23F3/04 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 | ||
1.一种化学机械抛光液,含有研磨颗颗粒,氧化剂,抛光速率提升剂,腐蚀抑制剂和载体。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的研磨颗粒的质量百分含量为0.05~15%,所述的氧化剂的质量百分含量为0.01~10%,所述的抛光速率提升剂的质量百分含量为0.01~5%,所述的腐蚀抑制剂的质量百分含量为0.01~5%,以及余量为载体。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的研磨颗粒选自氧化硅、氧化铝、氧化铈和/或聚合物颗粒中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的化学机械抛光液,所述的聚合物颗粒为聚乙烯和/或聚四氟乙烯。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的研磨颗粒的粒径为20~200nm。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的氧化剂选自过氧化物、过硫化物和/或单过硫化物中的一种或几种。
7.根据权利要求6所述的化学机械抛光液,所述的过氧化物为有机过氧化物。
8.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的抛光速率提升剂选自氨基酸、氨类化合物、有机瞵酸和/或有机磺酸中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的腐蚀抑制剂选自含氮唑类化合物、有机酸、有机酸铵盐、氨基酸、氨类化合物、有机瞵酸和/或有机磺酸中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,所述的载体为水。
11.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,含有pH调节剂。
12.根据权利要求11所述的化学机械抛光液,所述的pH调节剂选自硫酸、硝酸、磷酸、氨水、氢氧化钾、乙醇胺和/或三乙醇胺中的一种或多种。
13.根据权利要求11所述的化学机械抛光液,pH值为3.0~11.0。
14.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,含有表面活性剂、稳定剂、抑制剂和/或杀菌剂中的一种或多种。
15.一种抛光方法,所述抛光方法包括:在化学机械抛光过程中,用权利要求1-14中任一项所述的抛光液对铜进行抛光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子(上海)有限公司,未经安集微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010264165.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。