[发明专利]一种电可擦可编程只读存储器的读写方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种数据的读写方法，特别是一种用于电可擦可编程只读存储器的读写方法。 

背景技术

在嵌入式系统中，对频繁读写的数据一般采用EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，中文译为：电可擦可编程只读存储器)来进行存储。EEPROM的特点是可电擦除，最小支持单字节擦写。目前使用比较多的是Atmel公司的AT24Cxx系列的存储片，擦写寿命在10万次以上。如果按每天改写10次的话，可以使用30年；同理，如果每天100次的话，将缩短到3年；某些场合，如果数据频繁修改，将会达到500次以上，那么寿命就缩短到半年甚至更短。 

因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。 

发明内容

针对上述现有电可擦可编程只读存储器所存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种可提高电可擦可编程只读存储器寿命的读写方法。 

为实现上述目的，本发明可采用如下技术方案： 

一种电可擦可编程只读存储器的读写方法，包括以下步骤： 

(1)在电可擦可编程只读存储器中设置用以存储需要读写数据的读写模块，且该读写模块分成为若干读写页； 

(2)先将数据放置于第一读写页并循环的写入并读出，若写入数据与读出数据相同，则数据继续放置在该第一读写页中，若写入数据与读出数据不相同，则数据在该第一读写页中重新写入； 

(3)若数据在第一读写页中的写入数据与读出数据重试三次都不相同，则判断为该第一读写页损坏，然后将数据放置入第二读写页中继续读写，直至到最后一个读写页中。 

本发明与现有技术相比：通过将设置的读写模块分成为若干读写页，当前一读写页损坏后将数据放置入下一读写页中继续读写，使电可擦可编程只读存储器的寿命延长。 

具体实施方式

下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人 员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。 

本发明公开一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的读写方法，该读写方法包括以下步骤： 

(1)在电可擦可编程只读存储器中设置用以存储需要读写数据的读写模块，且该读写模块分成为若干读写页；优选的实施方式是所述读写模块的空间大小为所述需要读写数据的整数倍，该倍数即为读写页的个数，这样的设置可最优化的利用该电可擦可编程只读存储器的内部空间。 

(2)先将数据放置于第一读写页并循环的写入并读出，若写入数据与读出数据相同，则数据继续放置在该第一读写页中，若写入数据与读出数据不相同，则数据在该第一读写页中重新写入。 

(3)若数据在第一读写页中的写入数据与读出数据重试三次都不相同，则判断为该第一读写页损坏，然后将数据放置入第二读写页中继续读写，直至到最后一个读写页中。 

所述电可擦可编程只读存储器中还设置有块管理结构体，该块管理结构体用以在上一个读写页损坏后将需要读写数据放置于下一个读写页。 

通过上述方法，将读写模块分成为若干读写页，使需要频繁读写的数据先在第一读写页中循环的读写，当第一读写页损坏后再将数据放置入第二读写页中继续读写，直至最后一个读写页，这样可优化的分配电可擦可编程只读存储器的内部空间，当某一读写页损坏并不会影响后续读写页的使用，故可显著提升电可擦可编程只读存储器的使用寿命。 

以下通过一个实例来具体解释如何使用该方法： 

假设有20个字节的数据需要频繁更新，如果按10万次的寿命，每天的操作次数500次，如果每次都对同一块区域操作，那么若使用背景技术中所述的电可擦可编程只读存储器，半年就后这20字节可能将会无法继续擦写。如果采用以下的管理方法，将会改变这种状态。 

假设希望EEPROM可以使用5年，那么可以分一个200字节存储块，并可优选的定义如下一个结构体： 

Typedef struct 

{ 

    Unsigned int start_addr； 

    Unsigned int page_num； 

    Unsigned int page_size； 

   Unsigned int using_page； 

   Unsigned int crc； 

}BLOCK_INFO Bk_Info；