[发明专利]放大器、提高其共模反馈环路相位裕度方法、射频接收芯片

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及一种放大器，尤其涉及一种提高放大器共模反馈环路相位裕度方法；本发明还涉及一种利用了上述提高放大器共模反馈环路相位裕度方法的放大器；同时，本发明进一步涉及包含该放大器的射频接收芯片。

背景技术

将图1共模反馈电路中晶体管M19、M20的栅极与漏极直接相连，即为传统共模反馈电路，传统共模反馈电路在节点A处产生的寄生极点为：

ωp=gm19Cgs19+2Cgs10=gm19(k+1)Cgs19,k=2Cgs10/Cgs19---(1)]]>

其中g_m19为M19的跨导，C_gs19为M19的栅源电容，C_gs10为M10(或M11)的栅源电容。

为了使运算放大器的噪声性能满足设计要求，放大器中的晶体管M10、M11和M19通常设计为大尺寸低跨导器件，这使得A点处的寄生极点频率变低，降低了共模反馈环路的相位裕度，共模反馈回路变得不稳定。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种提高放大器共模反馈环路相位裕度方法，可提高共模反馈回路的稳定性。

本发明还提供一种利用了上述提高放大器共模反馈环路相位裕度方法的放大器，可提高共模反馈回路的稳定性。

此外，本发明进一步提供一种包含该放大器的射频接收芯片，可提高共模反馈回路的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种提高放大器共模反馈环路相位裕度的方法，所述放大器包括输入级电路、输出级电路、共模反馈电路；所述输入级电路、输出级电路分别包括若干晶体管；所述共模反馈电路包括两个晶体管M19、M20，晶体管M19、M20的源极接地，在晶体管M19或/和晶体管M20的栅极与漏极之间接入电阻。

作为本发明的一种优选方案，所述晶体管M19连接的电阻的阻值大于等于1/g_m19；所述晶体管M20连接的电阻的阻值等于M19连接的电阻的阻值；其中，g_m19为晶体管M19的跨导。

作为本发明的一种优选方案，所述输入级电路包括晶体管M1、M2、M3；晶体管M1源极接电源电压VDD，晶体管M2、M3分别连接放大器的输入信号；晶体管M2、M3分别与晶体管M1连接。

作为本发明的一种优选方案，所述输入级电路进一步包括至少三组晶体管M4、M5、M8、M9、M10、M11；所述晶体管M4、M5的源极连接电源电压VDD，晶体管M10、M11的源极接地；所述晶体管M4、晶体管M8、晶体管M10依次连接，晶体管M5、晶体管M9、晶体管M11依次连接。

作为本发明的一种优选方案，所述晶体管M4、晶体管M8之间还连接有晶体管M6，晶体管M5、晶体管M9之间还连接有晶体管M7。