[发明专利]集成电路及其操作方法有效
申请号: | 201010266307.8 | 申请日: | 2010-08-26 |
公开(公告)号: | CN102385712A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 李睿中;黄国真;杜文宏 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/07 | 分类号: | G06K19/07;G06K7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 及其 操作方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种集成电路及其操作方法,特别是关于一种用于射频识别的集成电路及其操作方法。
背景技术
为了因应环保的趋势,集成电路包装的载具,例如,托盘等,能够回收再被使用。但因为集成电路载具为塑料材质,其受热后造成材质的特性变化而无法利用测量或检验设备予以检出,因此,当集成电路载具重复受热后进一步使用于工艺上时,将会使集成电路载具的质量存在风险。
一般的射频识别(RFIC)分为被动式和主动式。被动式射频识别靠与读取器的电磁感应产生其所需电能;主动式射频识别必须被外加一电源以供应其所需电力。射频识别被固定到或嵌入集成电路的载具,对于主动式射频识别,为了缩小空间及节省成本,将产生电能的机构设计在该主动式射频识别内。
请参阅图1,其为一现有射频识别系统20的示意图。射频识别系统20包括一读取器22和一被动式射频识别10。当读取器22欲读取被动式射频识别10时,读取器22传输一射频信号S11到被动式射频识别10。被动式射频识别10包括一天线11、一电源控制器12、一调变电路13、一存储器单元14、一逻辑单元15和一时钟选取器16。天线11靠与读取器22的电磁感应而转换射频信号S11为一交流信号S12。电源控制器12整流交流信号S12来分别提供直流供应电压给存储器单元14和逻辑单元15。时钟选取器16耦接于天线11,且提供一主时钟信号CLK1到逻辑单元15。逻辑单元15响应主时钟信号CLK1而控制存储器单元14,且依序读取存储器单元14中的数据来产生一编码的信息S13。调变电路13根据编码的信息S13而提供一调变信号S14到天线11,从而使读取器22获得存储器单元14中的该数据。
一现有技术方案记载于美国第US 7,069,100 B2号公告专利,其揭露一种自动制造控制系统。一现有技术方案记载于美国第US 2005/0139250A1号公开专利,其揭露热电装置及其应用。一现有技术方案记载于美国第US 7,348,887 B1号公告专利,其揭露嵌入半导体的射频识别。一现有技术方案记载于美国第US 7,432,808 B2号公告专利,其揭露一种用于零件库存和追踪的无线模块致能的元件载具。
发明内容
在本发明的第一概念中,透过将一颗射频集成电路嵌入集成电路载具中,预先评估集成电路载具可以承受热循环(Thermal cycling)的次数,并将此热循环限制次数预先记录在该射频集成电路内。若该集成电路的载具已经超出或接近安全的次数,且半导体供应链工艺的读取器(Reader/Writer)侦测到此情况,则读取器发出警讯,如此,该集成电路载具就必须被停止使用。
在本发明的第二概念中,利用半导体工艺将热电材料及机构嵌入射频集成电路内而形成热电式射频集成电路,接着,利用该热电式射频集成电路的包装/载具在整个半导体供应链中必须烘烤(Thermal baking)的特性。该热电式射频集成电路在烘烤时会受热而将热能转换成电能,且将该电能储存在该热电式射频集成电路内的电容。该热电式射频集成电路仍保留被动式电源产生的功能。
通过整合所述的第一概念和第二概念,该热电式射频集成电路在嵌入集成电路载具时就不需要占据太大的空间,亦即,就能够更轻易地嵌入该集成电路载具。
本发明的第一实施例在于提出一种集成电路。该集成电路包括一热效应单元和一处理单元。该热效应单元经历一热循环来形成一电能和一暂时通道。该处理单元保有一热循环次数,且透过该暂时通道响应该电能而更新该热循环次数。
本发明的第二实施例在于提出一种集成电路的操作方法,该操作方法包括下列步骤:保有一热循环次数;经历一热循环来形成一电能和一暂时通道;及,透过该暂时通道响应该电能而更新该热循环次数。
本发明的第三实施例在于提出一种集成电路。该集成电路包括一电路单元。该电路单元保有一热循环次数,且经历一热循环来形成一电能和导通该电能的一暂时通道以更新该热循环次数。
附图说明
本案得通过下列图式的详细说明,俾得更深入的了解:
图1:一现有射频识别系统的示意图;
图2:本发明一实施例所提集成电路系统的示意图;
图3(a):本发明一实施例所提热电单元的一实施结构所相关配置的示意图;
图3(b):本发明一实施例所提热电单元的另一实施结构所相关配置的示意图;
图4(a):本发明一实施例所提热侦测单元的一实施结构的示意图;及
图4(b):本发明一实施例所提热侦测单元的另一实施结构的示意图。
【主要元件符号说明】
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