[发明专利]薄膜沉积设备和制造有机发光显示设备的方法有效
申请号: | 201010266406.6 | 申请日: | 2010-08-27 |
公开(公告)号: | CN102005541A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 赵昌睦;金钟宪;崔镕燮;金相洙;姜熙哲;崔永默 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李娜娜 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 设备 制造 有机 发光 显示 方法 | ||
1.一种薄膜沉积设备,所述薄膜沉积设备包括:
装载单元,将作为沉积目标的基底固定到静电吸盘上;
沉积单元,包括保持在真空状态的室和设置在室中的薄膜沉积组件,用来将薄膜沉积在固定在静电吸盘上的基底上,薄膜沉积组件与基底分开预定的距离;
卸载单元,将完成了沉积工艺的基底与静电吸盘分离;
第一循环单元,将固定有基底的静电吸盘顺序地移动到装载单元、沉积单元和卸载单元;
第二循环单元,将与基底分离的静电吸盘从卸载单元返回到装载单元,
其中,第一循环单元设置成在穿过沉积单元时穿过室。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,多个薄膜沉积组件设置在室中。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,室包括均具有多个薄膜沉积组件的第一室和第二室,第一室和第二室彼此连接。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,第一循环单元包括使静电吸盘能够移动的载具。
5.如权利要求4所述的薄膜沉积设备,其中,载具包括:
支撑件,安装成穿过室,并且包括均沿着第一循环单元延伸的第一支撑件和第二支撑件;
移动杆,设置在第一支撑件上,用来支撑静电吸盘的边缘;
第一驱动单元,置于第一支撑件和移动杆之间,用来使移动杆沿着第一支撑件移动。
6.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,第二循环单元包括使静电吸盘能够移动的载具。
7.如权利要求6所述的薄膜沉积设备,其中,载具包括:
支撑件,沿着第二循环单元延伸;
移动杆,设置在支撑件上,用来支撑静电吸盘的边缘;
第一驱动单元,置于支撑件和移动杆之间,用来使移动杆沿着支撑件移动。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,薄膜沉积组件包括:
沉积源,排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,设置成与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿垂直于第一方向的第二方向布置的多个图案化缝隙,
其中,在基底沿第一方向相对于薄膜沉积组件移动的同时执行沉积工艺,
沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片整体化地形成为一体。
9.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,沉积源和沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片通过引导沉积材料流动的连接构件整体化地连接为一体。
10.如权利要求9所述的薄膜沉积设备,其中,连接构件密封沉积源和沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片之间的空间。
11.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,多个沉积源喷嘴以预定的角度倾斜。
12.如权利要求11所述的薄膜沉积设备,其中,多个沉积源喷嘴包括按沿第一方向形成的两行布置的沉积源喷嘴,所述两行的沉积源喷嘴倾斜成彼此面对。
13.如权利要求11所述的薄膜沉积设备,其中,多个沉积源喷嘴包括按沿第一方向形成的两行布置的沉积源喷嘴,
位于图案化缝隙片的第一侧的一行沉积源喷嘴布置成面向图案化缝隙片的第二侧,
位于图案化缝隙片的第二侧的另一行沉积源喷嘴布置成面向图案化缝隙片的第一侧。
14.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,薄膜沉积组件包括:
沉积源,排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,设置成与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的多个图案化缝隙;
障碍墙组件,沿第一方向设置并设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间分为多个子沉积空间的多个障碍墙,
其中,薄膜沉积组件或基底相对于对方移动。
15.如权利要求14所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个障碍墙中的每个障碍墙沿垂直于第一方向的第二方向延伸。
16.如权利要求14所述的薄膜沉积设备,其中,障碍墙组件包括具有多个第一障碍墙的第一障碍墙组件和具有多个第二障碍墙的第二障碍墙组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择