[发明专利]一种硅片边缘膜厚测量方法

权利要求书

1.一种硅片边缘膜厚测量方法，其特征在于，所述方法是在计算机中依次按以下步骤进行的：

步骤(1)：计算机初始化；

设定：电涡流传感器的直径用D表示，

被测点x，为被测硅片水平方向直径上的点，取值范围为x₀-2D～x₀之间，x₀为被测硅片水平方向直径上的膜厚边缘点，

T_m(x)为被测点x的测量膜厚值，

T_r(x)为被测点x的实际膜厚值，

d为膜厚测量修正系数，与所述电涡流传感器尺寸、形状、工作距离等参数相关，待标定；

步骤(2)：确定所述膜厚测量修正系数d；

步骤(2.1)：使用长度测量仪器测出被测点x的值，以及x₀的值；

步骤(2.2)：采用四点探针法测量出所述被测点x处硅片的实际厚度值T_r(x)；

步骤(2.3)：采用所述的电涡流传感器测出所述被测点x处的膜厚测量值T_m(x)；

步骤(2.4)：把步骤(2.1)到步骤(2.3)得到的x值、T_r(x)值和T_m(x)值输入所述计算机，按下式求出所述膜厚修正系数，用d表示：

Tr(x)=ex0-xd+ex-x0dex0-xd-ex-x0d·Tm(x),]]>

步骤(3)：按照设定的采样质点，所述电涡流传感器沿着点x₀-2D～x₀的方向逐点测量各采样点x上的膜厚测量值T_m(x)；

步骤(4)：把步骤(3)得到的各采样点x上的膜厚测量值逐个代入下式，求出对应的实际厚度值T_r(x)：

Tr(x)=ex0-xd+ex-x0dex0-xd-ex-x0d·Tm(x),]]>

其中，膜厚修正系数d采用步骤(2.4)得到的值。