[发明专利]基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器无效
| 申请号： | 201010266850.8 | 申请日： | 2010-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101957534A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 周淦;王涛;张亮;胡小锋;苏翼凯 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02F1/39 | 分类号： | G02F1/39;G02B6/122 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子体 波导 宽带 参量放大器 | ||
1.一种基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，包括：可调谐激光器、泵浦激光器、表面等离子波导和光耦合器，其中：可调谐激光器和泵浦激光器的输出端分别与光耦合器相连，光耦合器将泵浦光和信号光耦合后依次输出至表面等离子波导，其特征在于：所述的表面等离子波导包括：脊形硅波导、金属银阶梯结构层以及聚合物间隙层，其中：金属银阶梯结构层通过聚合物间隙层与脊形硅波导在垂直方向上相连。
2.根据权利要求1所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，所述的可调谐激光器的输出端通过连接光衰减器降低其信号功率，其输出波长范围为1300nm-1700nm。
3.根据权利要求1所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，所述的泵浦激光器的输出的泵浦光的波长为1550nm，输出的功率范围为0.25W-1W。
4.根据权利要求1所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，所述的金属银阶梯结构层的外宽大于脊形硅波导的硅基宽度，金属银阶梯结构层的金属阶梯宽度与脊形硅波导的硅脊对齐。
5.根据权利要求1所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，所述的脊形硅波导的宽度为W＝50nm，高度为H＝300nm。
6.根据权利要求1所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，所述的金属银阶梯结构层的外宽W1＝300nm。
7.根据权利要求4所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，所述的金属阶梯的厚度h1＝20nm。
8.根据权利要求4所述的基于硅基表面等离子体波导的超宽带光参量放大器，其特征是，位于金属阶梯下表面的聚合物间隙层的厚度h＝5nm。
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