[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在具有一金属垫区的一半导体基底上方形成一封盖层，其中该封盖层具有一开口露出一部分的该金属垫区；

在该露出的金属垫区部分上方的该封盖层的该开口内形成一凸块下金属层；

在该凸块下金属层上方形成一凸块层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的上表面；以及

自该封盖层的该上表面去除该凸块层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括去除该封盖层的该上表面，直至该凸块层的一顶部突出于该封盖层。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该封盖层由底胶材料或是介电材料所构成。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该凸块层包括一焊料层。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该凸块层包括一铜层，该铜层的厚度大于40微米。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该底层凸块金属化层包括：一钛层、一铜层或其组合。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该凸块下金属层顺着该封盖层的该开口的底部及侧壁且延伸至该封盖层的上表面，且形成该凸块层之后，还包括自该封盖层的该上表面去除该凸块下金属层。

8.一种半导体装置，包括：

一半导体基底，包括一金属垫区；

一封盖层，位于该半导体基底上方，且未覆盖该金属垫区的一第一部分；

一凸块层，局部形成于该封盖层内且电性连接至该金属垫区的该第一部分，其中该凸块层的一顶部突出于该封盖层的上表面；以及

一凸块下金属层，形成于该封盖层内且电性连接至该金属垫区的该第一部分，其中该凸块下金属层形成于该凸块层与该金属垫区的该第一部分之间。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该凸块下金属层形成于该凸块层与该封盖层之间，且该凸块下金属层包括一顶部突出于该封盖层。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该封盖层由底胶材料或是介电材料所构成，其中该凸块层包括一焊料层或厚度大于40微米的一铜层。