[发明专利]有机电激发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电激发光元件，适于配置在一基板上，该有机电激发光元件包括：

一第一图案化导电层，配置于该基板上，该第一图案化导电层包括一第一栅极与一第二栅极；

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该第一栅极与该第二栅极，其中该栅绝缘层具有一接触窗以将该第二栅极暴露；

一图案化半导体层，配置于该栅绝缘层上，该图案化半导体层包括一位于该第一栅极上方的第一沟道层以及一位于该第二栅极上方的第二沟道层；

一第二图案化导电层，配置于该栅绝缘层上，该第二图案化导电层包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极、一第二漏极以及一像素电极，其中该第一源极、该第一漏极与该第一沟道层接触，该第二源极、该第二漏极与该第二沟道层接触，而该第一漏极通过该接触窗与该第二栅极电性连接，且该第二漏极与该像素电极连接，该第二图案化导电层包括：

一粘着层，与该栅绝缘层接触；

一中间层；以及

一阳极层，该中间层位于该粘着层与该阳极层之间，而该粘着层、该中间层与该阳极层实质上具有相同的图案；

一有机功能层，配置于该像素电极上；以及

一阴极层，配置于该有机功能层。

2.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中该图案化半导体层覆盖该第二图案化导电层的部分区域。

3.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中该第二图案化导电层覆盖该图案化半导体层的部分区域。

4.如权利要求3所述的有机电激发光元件，还包括一蚀刻终止层，配置于该图案化半导体层上，其中该蚀刻终止层的部分区域被该第二图案化导电层覆盖。

5.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中该粘着层的材质包括钛、钼、铟锡氧化物或铟锌氧化物。

6.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中该中间层的材质包括银、铝、铜或所述材质的合金。

7.如权利要求1所述的有机电激发光元件，其中该阳极层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化钼。

8.如权利要求1所述的有机电激发光元件，还包括一像素定义层，覆盖该图案化半导体层、该第二图案化导电层与该栅绝缘层，其中该像素定义层具有一开口以暴露该像素电极。

9.一种有机电激发光元件的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一图案化导电层，该第一图案化导电层包括一第一栅极与一第二栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖该第一栅极与该第二栅极，其中该栅绝缘层具有一接触窗以将该第二栅极暴露；

于该栅绝缘层上形成一图案化半导体层，该图案化半导体层包括一位于该第一栅极上方的第一沟道层以及一位于该第二栅极上方的第二沟道层；

于该栅绝缘层上依序形成一粘着材料层、一中间材料层与一阳极材料层；

图案化该粘着材料层、该中间材料层与该阳极材料层，以形成一粘着层、一中间层与一阳极层，其中该粘着层、该中间层与该阳极层构成一第二图案化导电层并且具有实质上相同的图案，该第二图案化导电层包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极、一第二漏极以及一像素电极，其中该第一源极、该第一漏极与该第一沟道层接触，该第二源极、该第二漏极与该第二沟道层接触，而该第一漏极通过该接触窗与该第二栅极电性连接，且该第二漏极与该像素电极连接；

于该像素电极上形成一有机功能层；以及

于该有机功能层上形成一阴极层。

10.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该图案化半导体层的制作早于该第二图案化导电层的制作。

11.如权利要求10所述的有机电激发光元件的制造方法，在形成该第二图案化导电层之前，还包括于该图案化半导体层上形成一蚀刻终止层，其中该蚀刻终止层的部分区域被该第二图案化导电层覆盖。

12.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该图案化半导体层的制作晚于该第二图案化导电层的制作。

13.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括形成一覆盖该图案化半导体层、该第二图案化导电层与该栅绝缘层的像素定义层，其中该像素定义层具有一开口以暴露该像素电极。

14.如权利要求9所述的有机电激发光元件，其中该粘着层的材质包括钛、钼、铟锡氧化物或铟锌氧化物。