[发明专利]复合基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及复合基板的制造方法。

背景技术

以往，已知有出于改善特性的目的，在将支承基板与压电基板粘合在一起而得到的复合基板上设置电极，制作弹性波元件。此处的弹性波元件例如用作为手机等通信机器中的带通滤波器。此外，已知有复合基板使用铌酸锂或者钽酸锂作为压电基板，使用二氧化硅、石英或陶瓷作为支承基板(参见专利文献1)。

专利文献1：日本专利特开2006-319679号公报

发明内容

可是，这样的复合基板一般在将基板与基板粘合在一起之后，要经过弹性波元件的制造工序。例如，将热膨胀系数不同的基板粘合在一起得到的复合基板中，由于元件的制造工序中的温度(加热)，有时基板发生翘曲等，而需要考虑使用针对所发生的翘曲的制造装置，或者采用调整降温时间等工序使翘曲不发生。此外，不能进行破坏粘结层或复合基板本身的加热工序，在制造工序上有各种限制。

本发明鉴于上述课题，主要目的在于提供一种复合基板的制造方法，该方法对于具有用粘结层将第1基板与第2基板粘合在一起的结构的复合基板，可以进一步减少制造工序中受到的限制。

为了达到上述主要目的，本发明人进行了仔细的研究，发现先在压电基板的表面形成元件构造部，再从背面侧对该压电基板进行磨削，然后，粘结支承基板，这样的话，可以在进一步减少制造工序中受到的限制的状态下制作复合基板，从而完成本发明。

也就是，本发明的复合基板的制造方法包括在第1基板的表面形成元件构造部的形成工序、固定所述第1基板对所述第1基板的背面进行磨削的磨削工序和用由粘结剂形成的粘结层将第2基板粘合在所述磨削过的背面的粘合工序。

发明效果

本发明的复合基板的制造方法可以进一步减少制造工序中受到的限制。其理由是例如在形成操作性受加热影响的粘结层之前、并且在对(由于加热)而强度下降的第1基板进行磨削之前，形成包含加热工序的元件构造部。

附图说明

图1是模式化地显示复合基板10的制造工序的一个例子的截面图；

图2是显示复合基板10以及弹性波元件30的概略结构的说明图。

具体实施方式

接下来，利用附图说明本发明的实施方式。图1是模式化地显示复合基板10的制造工序的一个例子的截面图，图2是显示复合基板10以及弹性波元件30的概略结构的说明图。本发明的复合基板的制造方法包括在第1基板的表面形成元件构造部的形成工序、固定第1基板对第1基板的背面进行磨削的磨削工序和用由粘结剂形成的粘结层将第2基板粘合在磨削过的背面的粘合工序。如图1的下半部分所示，本发明的复合基板10具备具有元件构造部31的第1基板12、第2基板14和粘结第1基板12和第2基板14的粘结层16。这样的复合基板除了将第1基板作为压电基板、将第2基板作为支承该压电基板的支承基板的弹性波元件用复合基板之外，还举例有将第1基板作为半导体基板、将第2基板作为支承基板的半导体元件用复合基板等。弹性波元件举例有例如弹性表面波元件或兰姆波(Lamb Wave)元件或者薄膜共振子(FBAR)等。

(形成工序)

在形成工序中，在第1基板12的表面11形成元件构造部31(图1的第1、2段)。在这里，元件构造部是指例如含有体现复合基板的元件功能的结构的构件。第1基板12举例有例如压电基板、半导体基板等。第1基板12为压电基板时，可以使用例如钽酸锂、铌酸锂、铌酸锂-钽酸锂固溶体单晶、硼酸锂、硅酸镓镧(Langasite)、水晶等的一种以上。此时，元件构造部31可以为例如弹性波元件用电极18等。又，元件构造部31的形成方法可以通过如下的一般的光刻技术进行，例如，喷溅电极材料，在第1基板12的表面11上形成金属膜，然后，涂布抗蚀剂，进行刻图，通过蚀刻工序，形成电极图案。例如，如图2所示，可以在压电基板上形成IDT(Interdigital Transducer)电极32、34(也称梳齿形电极、帘状电极)和反射电极36，使得形成多数的弹性波元件的集合体。又，第1电极12为半导体基板时，可以使用例如单晶硅、锗、镓砷、镓砷磷、氮化镓、碳化硅等的1种以上。此时，元件构造部31可以为例如半导体元件用电极18等。形成该元件构造部31时，可以进行导入杂质原子的处理、例如离子注入处理或高温工序即杂质扩散处理等。

(磨削工序)