[发明专利]画素结构的修补方法、修补后的画素结构以及画素数组无效
申请号: | 201010267630.7 | 申请日: | 2010-08-25 |
公开(公告)号: | CN101969044A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 黄义仁;黄彦衡;曾文贤;陈宗凯;白佳蕙;郑为元 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 修补 方法 以及 素数 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种画素结构的修补方法、修补后的画素结构以及画素数组,且特别是有关于一种液晶显示器的画素结构的修补方法、修补后的画素结构以及画素数组。
【背景技术】
液晶显示器主要由薄膜晶体管数组基板、彩色滤光数组基板和液晶层所构成,其中薄膜晶体管数组基板是由多个数组排列的画素结构所构成,每一画素结构是由薄膜晶体管、画素电极(pixel electrode)以及储存电容器(storage capacitor)所组成。当画素结构中因颗粒或介电层破洞而发生电性异常时,此画素结构便会成为点瑕疵(dot defect)。一般来说,若能通过修补方式将上述的点瑕疵修补成暗点,就可以不需要报废丢弃这些有瑕疵的液晶显示面板。
在现有技术中,液晶显示面板的画素结构的修补方式通常是采用激光熔接(laser welding)及激光切割(laser cutting)的搭配来进行。然而,传统通过激光熔接及激光切割方式进行画素结构的暗点化需要进行多处切割以及多处熔接,因而此种暗点化的修补方式较为复杂且成本较高。
【发明内容】
本发明提供一种画素结构的修补方法,其可以通过简单的修补方式即达到将瑕疵画素暗点化的目的。
本发明提供一种修补后的画素结构以及画素数组,其是利用上述的修补方式所形成的画素结构以及画素数组。
本发明提出一种画素结构的修补方法,此方法包括提供位于基板上的画素结构,此画素结构包括扫描线以及数据线、主动组件、绝缘层以及画素电极。扫描线以及数据线位于基板上。主动组件位于基板上且与扫描线以及数据线电性连接。绝缘层覆盖主动组件、扫描线以及数据线,其中绝缘层中具有接触窗开口。画素电极位于绝缘层上,其中画素电极填入接触窗开口中以与主动组件电性连接。接着,进行激光移除程序,以移除位于接触窗开口内的至少部份画素电极,以使画素电极与主动组件电性绝缘。
本发明提出一种修补后的画素结构,其包括扫描线以及数据线、主动组件、绝缘层以及画素电极。扫描线以及数据线位于基板上。主动组件位于基板上且与扫描线以及数据线电性连接。绝缘层覆盖主动组件、扫描线以及数据线,其中绝缘层中具有接触窗开口。画素电极位于绝缘层上,其中画素电极未覆盖住接触窗开口的底部以使画素电极与主动组件电性绝缘。
本发明提出一种画素数组,其包括多个第一画素结构以及至少一个第二画素结构。每一个第一画素结构包括第一扫描线以及第一数据线、第一主动组件、绝缘层以及第一画素电极。第二画素结构包括第二扫描线以及第二数据线、第二主动组件、绝缘层以及第二画素电极。第一扫描线以及第一数据线位于基板上。第一主动组件位于基板上且与第一扫描线以及第一数据线电性连接。绝缘层覆盖第一主动组件、第一扫描线以及第一数据线,其中绝缘层中具有第一接触窗开口。第一画素电极位于绝缘层上,其中第一画素电极填入第一接触窗开口中以与第一主动组件电性连接。第二扫描线以及第二数据线位于基板上。第二主动组件位于基板上且与第二扫描线以及第二数据线电性连接。绝缘层覆盖第二主动组件、第二扫描线以及第二数据线,其中绝缘层中具有第二接触窗开口。第二画素电极位于绝缘层上,其中第二画素电极未覆盖第二接触窗开口的底部以使第二画素电极与第二主动组件电性绝缘。
基于上述,本发明是利用激光移除程序移除位于接触窗开口内的画素电极,以使画素电极与主动组件电性绝缘,进而使此画素结构暗点化。由于本发明仅需通过激光移除程序移除位于接触窗开口内的画素电极即可达到将瑕疵画素结构暗点化,因此本发明的修补方法相较于传统画素修补方法较为简便。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
图1A至图1B是根据本发明一实施例的画素结构的修补方法的示意图。
图2A是图1A中沿着剖面线A-A’的剖面示意图。
图2B是图1B中沿着剖面线A-A’的剖面示意图。
图3是根据本发明另一实施例的修补后的画素结构的剖面示意图。
图4是根据本发明另一实施例的修补后的画素结构的上视示意图
图5是根据本发明一实施例的画素数组的示意图。
【主要组件符号说明】
100:基板
101a:前表面
101b:后表面
102:栅极绝缘层
104、108:保护层
106:平坦层/彩色滤光层
110:绝缘层
SL、SL1~SL3:扫描线
DL、DL1~DL5:数据线
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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