[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010268635.1 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386056A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底中形成对位游标掺杂区；
在具有对位游标掺杂区的衬底上覆盖氧化层，所述衬底上的对位游标掺杂区部分为第一区域，对位游标掺杂区之外的部分为第二区域；
去除第二区域的氧化层而暴露出衬底表面；
以第一区域的氧化层为掩膜，在衬底表面形成外延层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底中形成对位游标掺杂区具体包括：
在所述衬底表面形成图案化的光刻胶层；
以所述图案化的光刻胶层为掩膜在衬底中注入杂质，形成对位游标掺杂区。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在具有对位游标掺杂区的衬底上覆盖氧化层具体包括：
去除衬底表面图案化的光刻胶层；
对衬底进行退火氧化，形成氧化层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在具有对位游标掺杂区的衬底上覆盖氧化层之后，还包括：在具有氧化层的衬底上沉积氮化层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域氧化层的厚度大于第二区域。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除第二区域的氧化层而暴露出衬底表面具体包括：
在第一区域的氧化层上形成保护层；
去除第二区域的氧化层，并清洗第一区域的保护层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述保护层为光刻胶层。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
所述衬底中的对位游标；
所述对位游标之外的衬底上的外延层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中的对位游标的形成过程为：
在所述衬底中形成对位游标掺杂区；
在具有对位游标掺杂区的衬底上覆盖氧化层，所述对位游标掺杂区的氧化层即为对位游标。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述对位游标之外的衬底上的外延层的形成过程为：
在衬底中的对位游标上形成保护层；
去除对位游标之外的衬底上的氧化层，并清洗对位游标上的保护层；
以所述对位游标为掩膜，在衬底表面形成外延层。
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