[发明专利]半导体装置缺陷点定位方法

说明书

技术领域：

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体装置缺陷点定位方法。

背景技术：

随着大规模集成电路技术的飞速发展，半导体器件已广泛地应用于宇航军事领域、工业、通讯和民用产品中。因此对半导体器件的可靠性进行研究具有非常重要的意义。失效分析是一种常用的可靠性分析方式，是通过对现场使用失效样品、可靠性试验失败样品、筛选失效样品等的解剖分析，得出失效机理并准确判断失效原因，为提高产品的可靠性提供科学依据。

缺陷点定位是失效分析中一步极其重要的环节，在缺陷定位仪中找到并定位缺陷点后，后续的物理分析过程中才能精确地找到缺陷点。现有技术中常用的一种半导体装置的缺陷点定位的方法如下：在缺陷定位仪中安装一台精密的激光打标机，将半导体晶片放入缺陷定位仪中，配置缺陷定位仪中的探针与半导体晶片中的器件的电性连接，接好电源信号线对所述半导体晶片中的器件施加激励，当器件中的缺陷点因施加激励表现出来时，使用激光定位仪在显现的缺陷点的周围打上四个激光标记，用于作为缺陷点的定位基准这样，后续的物理分析过程中就能够根据所述标记精确地找到缺陷点。

通过对现有技术的研究，发明人发现，现有的技术方案中所采用的激光打标机的成本极高，提高了失效分析的成本，且安装调试十分复杂，降低了失效分析的效率。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种半导体装置缺陷点定位方法，以降低失效分析的成本，提高失效分析的效率。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种半导体装置缺陷点定位方法，包括：

将缺陷定位仪中的探针与半导体晶片的器件进行电性连接；

将缺陷定位仪中的探针与半导体晶片的器件进行电性连接；

对所述半导体晶片的器件施加激励，使缺陷点显现；

使用缺陷定位仪中的探针在靠近所述缺陷点的位置刻出标识点；

确定标识点和缺陷点的位置关系。

优选的，该方法还包括：

根据标识点的位置和所述位置关系，定位所述缺陷点。

优选的，对所述半导体晶片的器件施加激励使缺陷点显现的步骤中，当显现出一个缺陷点时，所述使用缺陷定位仪中的探针在靠近所述缺陷点的位置刻出标识点的步骤，具体包括：

移动缺陷定位仪中的探针至靠近所述缺陷点的位置；

使用所述探针在该位置刻出标识点。

优选的，所述使用所述探针在该位置刻出标识点，具体包括：

使用所述探针在该位置刻出一个标识点。

优选的，所述使用所述探针在该位置刻出标识点，具体包括：

使用所述探针在该位置刻出至少两个标识点。

优选的，所述确定标识点和缺陷点的位置关系，具体包括：

选择与所述缺陷点距离最近的标识点作为目标标识点；

确定所述目标标识点和所述缺陷点的位置关系。

优选的，所述确定标识点和缺陷点的位置关系，具体包括：

分别确定所述缺陷点和其对应的所有标识点的位置关系。

优选的，所述确定标识点和缺陷点的位置关系之前，还包括：

移动所述探针返回初始位置；

再次对所述半导体晶片的器件施加激励，使缺陷点再次显现。

优选的，对所述半导体晶片的器件施加激励使缺陷点显现的步骤中，当显现出至少两个缺陷点时，所述使用缺陷定位仪中的探针在靠近所述缺陷点的位置刻出标识点的步骤，具体包括：

移动缺陷定位仪中的探针至靠近其中一个缺陷点的位置；

使用所述探针在该位置刻出标识点；

移动所述探针返回初始位置；

再次对所述半导体晶片的器件施加激励，使缺陷点再次显现；

重复上述步骤直至为所有的缺陷点都刻出对应的标识点。

优选的，所述确定标识点和缺陷点的位置关系，具体包括：

分别确定所有缺陷点和其对应的标识点的位置关系。

应用本发明所提供的技术方案，当半导体晶片器件中的缺陷点因受到激励而显现时，使用现有的缺陷定位仪的中的探针在缺陷点附近设置标识点，这样就可以根据标识点的位置和标识点与缺陷点的位置关系定位缺陷点。本发明提供的方法无需采用昂贵的激光打标机，能够降低失效分析的成本，同时该方法无需对现有的设备进行改装，可方便快捷的实现无效分析，简单实用，提高失效分析的效率。

附图说明