[发明专利]CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，包括：

第一光电二极管；

浮动扩散节点，设置为与所述第一光电二极管相距一预定距离；

第一转移晶体管的栅图案的一部分，设置在所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点之间；

驱动晶体管的栅图案的一部分，设置为重叠所述浮动扩散节点的一部分，以形成重叠部分；

接触孔，设置为暴露所述浮动扩散节点的一部分和所述重叠部分的一部分；以及

第一接触部，设置为填充在所述接触孔中，且既与所述浮动扩散节点又与所述重叠部分接触。

2.如权利要求1的CMOS图像传感器，还包括：

第二光电二极管；以及

第二转移晶体管的栅图案的一部分，设置在所述第二光电二极管和所述浮动扩散节点之间。

3.如权利要求1的CMOS图像传感器，其中所述浮动扩散节点和所述重叠部分不以金属线相连。

4.如权利要求1的CMOS图像传感器，还包括：

第二接触部，设置在所述第一转移晶体管的栅图案上；以及

金属线，设置为连接到所述第二接触部。

5.如权利要求1的CMOS图像传感器，还包括：

选择晶体管的栅图案；

重置晶体管的栅图案；

第一有源区，设置为与所述重置晶体管的栅图案相关联；以及

第二有源区，设置为被所述选择晶体管的栅图案以及所述驱动晶体管的栅图案共享。

6.如权利要求5的CMOS图像传感器，其中所述第一有源区被设置为与所述第二有源区隔离。

7.如权利要求5的CMOS图像传感器，其中所述选择晶体管的栅图案包括一个“C”形状。

8.如权利要求5的CMOS图像传感器，其中所述第一和第二有源区与所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点隔离。

9.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：

形成第一光电二极管；

在与所述第一光电二极管相距一预定距离处、形成浮动扩散节点；

在所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点之间，形成第一转移晶体管的栅图案的一部分；

以所述浮动扩散节点的一部分重叠驱动晶体管的栅图案的一部分，以形成重叠部分；

以一绝缘层将所述浮动扩散节点的至少一部分与所述重叠部分的至少一部分隔离；

在所述重叠部分的一个暴露部分和所述浮动扩散节点的一个暴露部分上，蚀刻一个穿过所述绝缘层的接触孔；以及

将导电性材料填充入所述接触孔，以在所述重叠部分的所述暴露部分和所述浮动扩散节点的所述暴露部分之间形成第一接触部。

10.如权利要求9的方法，其中所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点是在所述第一转移晶体管的栅图案的所述部分以及所述驱动晶体管的栅图案的所述部分之前形成的。

11.如权利要求9的方法，还包括：

形成第二光电二极管；以及

在所述第二光电二极管和所述浮动扩散节点之间，形成第二转移晶体管的栅图案的一部分。

12.如权利要求9的方法，其中所述浮动扩散节点和所述重叠部分不以金属线相连。

13.如权利要求9的方法，还包括：

在所述第一转移晶体管的栅图案上，形成第二接触部；以及

形成连接到所述第二接触部的金属线。

14.如权利要求9的方法，还包括：

形成选择晶体管的栅图案；

形成重置晶体管的栅图案；

形成第一有源区，其与所述重置晶体管的栅图案相关联；以及

形成第二有源区，其被所述选择晶体管的栅图案以及所述驱动晶体管的栅图案共享。

15.如权利要求14的方法，还包括将所述第一有源区和所述第二有源区隔离。

16.如权利要求15的方法，还包括将所述第一和第二有源区与所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点隔离。